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晶体管2N7106参数
2N7106材料:N-FET外形:图用途:开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:10极限电流Im:50m ...
2008-10-29
晶体管BSWP30参数
BSWP30材料:P-FET外形:图用途:开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:25极限电流Im:500m&nbs...
晶体管3N158参数
3N158材料:P-FET外形:图用途:斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:50极限电流Im:30m...
晶体管3N157A参数
3N157A材料:P-FET外形:图用途:斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:50极限电流Im:30...
晶体管BFS80参数
BFS80材料:N-FET外形:图用途:对称类,甚高频,极限电压Vm:30极限电流Im:15m最大漏极...
晶体管3N157参数
3N157材料:P-FET外形:图用途:斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:35极限电流Im:30m...
晶体管BFW10参数
BFW10材料:N-FET外形:图用途:宽频带放大,对称类,甚高频,极限电压Vm:30极限电流Im:20m&nbs...
晶体管3N156A参数
3N156A材料:P-FET外形:图用途:斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:35极限电流Im:30...
晶体管2N7105参数
2N7105材料:N-FET外形:图用途:一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:30极限电流Im:50m&nb...
晶体管3N155A参数
3N155A材料:P-FET外形:图用途:斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:35极限电流Im:30...
晶体管3N183参数
3N183材料:P-FET外形:图用途:斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:25极限电流Im:100...
2008-10-28
晶体管3N182参数
3N182材料:P-FET外形:图用途:斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:30极限电流Im:100...
晶体管3N181参数
3N181材料:P-FET外形:图用途:斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:30极限电流Im:100...
晶体管3N180参数
3N180材料:P-FET外形:图用途:斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:40极限电流Im:20m...
晶体管3N179参数
3N179材料:P-FET外形:图用途:斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:60极限电流Im:20m...
晶体管3N178参数
3N178材料:P-FET外形:图用途:斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:75极限电流Im:20m...
晶体管3N176参数
3N176材料:N-FET外形:图用途:斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:25极限电流Im:50m...
晶体管3N177参数
3N177材料:N-FET外形:图用途:斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:20极限电流Im:50m...
晶体管BF800参数
BF800材料:N-FET外形:图用途:高频放大(射频放大),音频(低频),极限电压Vm:25极限电流Im:1.2m ...
晶体管BF815参数
BF815材料:N-FET外形:图用途:高频放大(射频放大),音频(低频),极限电压Vm:30极限电流Im:50m...