晶体管3N156参数

3N156材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：35极限电流Im：30m...

   2008-10-30

晶体管MT101B参数

MT101B材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流...

   2008-10-30

晶体管U1325参数

U1325材料：N-FET外形：图用途：斩波、限幅,极限电压Vm：30极限电流Im：0.5m最大漏极电...

   2008-10-30

晶体管UMEM300参数

MEM300材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：75极限电流Im：20m&n...

   2008-10-30

晶体管U1321参数

U1321材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：...

   2008-10-30

晶体管U1285参数

U1285材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：30极限电流Im：0.1m最大漏极电流...

   2008-10-30

TN4118(A)参数

TN4118(A)材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：&n...

   2008-10-30

晶体管U1280参数

U1280材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：50极限电流Im：10m最大漏极电流I...

   2008-10-30

晶体管U1279参数

U1279材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：50极限电流Im：1.5m最大漏极电流...

   2008-10-30

晶体管U1278参数

U1278材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：50极限电流Im：3m最大漏极电流Id...

   2008-10-30

晶体管3N146参数

3N146材料：P-FET外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：20m&nbs...

   2008-10-29

晶体管BSD214参数

BSD214材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：0.05&nbs...

   2008-10-29

晶体管2N7109参数

2N7109材料：N-FET外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：50m&nb...

   2008-10-29

晶体管BSD215参数

BSD215材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：0.05&nbs...

   2008-10-29

晶体管BSW95参数

BSW95材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m...

   2008-10-29

晶体管BSW95A参数

BSW95A材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50...

   2008-10-29

晶体管BSW31参数

BSW31材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流I...

   2008-10-29

晶体管BF810参数

BF810材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,音频（低频）,极限电压Vm：30极限电流Im：20m...

   2008-10-29

晶体管3N145参数

3N145材料：P-FET外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：20m&nbs...

   2008-10-29

晶体管BFS73参数

BFS73材料：N-FET外形：图用途：斩波、限幅,对称类,极限电压Vm：50极限电流Im：20m最大...

   2008-10-29