晶体管BSD213参数

BSD213材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：10极限电流Im：0.05&nbs...

   2008-10-28

晶体管3N242参数

3N242材料：N-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：30m...

   2008-10-28

晶体管BSW30参数

BSW30材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流I...

   2008-10-28

晶体管BSX84参数

BSX84材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：20m&nb...

   2008-10-28

晶体管BSD10参数

BSD10材料：N-FET外形：图用途：开关,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：10极限电流Im：0.05 ...

   2008-10-28

晶体管BSV20(A)参数

BSV20(A)材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：...

   2008-10-28

晶体管BSD12参数

BSD12材料：N-FET外形：图用途：开关,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：0.05 ...

   2008-10-28

晶体管BSD212参数

BSD212材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：10极限电流Im：0.05&nbs...

   2008-10-28

晶体管3N149参数

3N149材料：P-FET外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：200m&nb...

   2008-10-28

晶体管BSX83参数

BSX83材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：20m&nb...

   2008-10-28

晶体管BFS70参数

BFS70材料：N-FET外形：图用途：对称类,甚高频,极限电压Vm：50极限电流Im：2.5m最大漏...

   2008-10-26

晶体管BF818参数

BF818材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,音频（低频）,极限电压Vm：25极限电流Im：40m...

   2008-10-26

晶体管BFS71参数

BFS71材料：N-FET外形：图用途：对称类,甚高频,极限电压Vm：50极限电流Im：2.5m最大漏...

   2008-10-26

晶体管3N186参数

3N186材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：50m...

   2008-10-26

BSV22参数

BSV22材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,对称类,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im...

   2008-10-26

晶体管2N7104参数

2N7104材料：N-FET外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m&nb...

   2008-10-26

晶体管3SK14参数

3SK14材料：N-FET外形：图用途：斩波、限幅,直流,开关,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：20&...

   2008-10-26

晶体管3SJ11A参数

3SJ11A材料：P-FET外形：图用途：直流,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m&n...

   2008-10-26

晶体管3N99参数

3N99材料：N-FET外形：图用途：一般用途,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：32极限电流Im：10.5m&nb...

   2008-10-26

晶体管3SJ11参数

3SJ11材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：10m...

   2008-10-26