晶体管MFE4009

MFE4009材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：40极限电流Im：3m...

   2008-11-18

晶体管MFE4007

MFE4007材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：40极限电流Im：1m...

   2008-11-18

晶体管SD210DE

SD210DE材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电...

   2008-11-18

晶体管MEM814

MEM814材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：35极限电流Im：50m&n...

   2008-11-18

晶体管MEM100

MEM100材料：P-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：35极限电流Im：50m ...

   2008-11-18

晶体管MEM807A

MEM807A材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电...

   2008-11-18

晶体管MEM560C

MEM560C材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：50m...

   2008-11-18

晶体管MPF107

MPF107材料：N-FET外形：图用途：甚高频,极限电压Vm：25极限电流Im：20m最大漏极电流I...

   2008-11-18

晶体管MMF6

MMF6材料：N-FET外形：图用途：甚高频,极限电压Vm：30极限电流Im：10m最大漏极电流Ids...

   2008-11-18

晶体管MMF5

MMF5材料：N-FET外形：图用途：甚高频,极限电压Vm：30极限电流Im：10m最大漏极电流Ids...

   2008-11-18

晶体管SD211MKE

SD211MKE材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：5...

   2008-11-16

晶体管SD214CHP

SD214CHP材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：5...

   2008-11-16

晶体管SD212

SD212材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m&...

   2008-11-16

晶体管SD212DE

SD212DE材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50...

   2008-11-16

晶体管SD213

SD213材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：10极限电流Im：50m&...

   2008-11-16

晶体管MEM817

MEM817材料：P-FET外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：45极限电流Im：30m&nb...

   2008-11-16

晶体管SD213CHP

SD213CHP材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：10极限电流Im：5...

   2008-11-16

晶体管SD213DE

SD213DE材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：10极限电流Im：50...

   2008-11-16

晶体管MFE2003

MFE2003材料：N-FET外形：图用途：甚高频,极限电压Vm：30极限电流Im：10m最大漏极电流...

   2008-11-16

晶体管MFE2001

MFE2001材料：N-FET外形：图用途：超高频,甚高频,极限电压Vm：25极限电流Im：20m最大...

   2008-11-16