晶体管MEM563C

MEM563C材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：25m...

   2008-11-20

晶体管MMF3

MMF3材料：N-FET外形：图用途：甚高频,极限电压Vm：30极限电流Im：10m最大漏极电流Ids...

   2008-11-20

晶体管SC1611

SC1611材料：P-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：&n...

   2008-11-20

晶体管U275

U275材料：N-FET外形：图用途：hi-lmp极限电压Vm：30极限电流Im：6.5m最大漏极电流...

   2008-11-20

晶体管U273A

U273A材料：N-FET外形：图用途：hi-lmp极限电压Vm：30极限电流Im：2m最大漏极电流I...

   2008-11-20

晶体管U274A

U274A材料：N-FET外形：图用途：hi-lmp极限电压Vm：30极限电流Im：4m最大漏极电流I...

   2008-11-20

晶体管MEM515

MEM515材料：P-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：700m&nbs...

   2008-11-20

晶体管MEM517

MEM517材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：25...

   2008-11-20

晶体管SC1614

SC1614材料：P-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：&n...

   2008-11-20

晶体管SC1613

SC1613材料：P-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：&n...

   2008-11-20

晶体管SD2100DE

SD2100DE材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限...

   2008-11-18

晶体管SD210CHP

SD210CHP材料：N-FET外形：图用途：开关,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：50m&nb...

   2008-11-18

晶体管SD210DE/R

SD210DE/R材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极...

   2008-11-18

晶体管SD211ADE

SD211ADE材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：5...

   2008-11-18

晶体管SD211

SD211材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m&...

   2008-11-18

晶体管MEM806A

MEM806A材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电...

   2008-11-18

晶体管MFE4012

MFE4012材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：40极限电流Im：14m ...

   2008-11-18

晶体管MFE4011

MFE4011材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：40极限电流Im：8m...

   2008-11-18

晶体管MFE4010

MFE4010材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：40极限电流Im：5m...

   2008-11-18

晶体管MFE4008

MFE4008材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：40极限电流Im：1.6m&nbs...

   2008-11-18