晶体管MEM556C

MEM556C材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：20m...

   2008-11-23

晶体管MG15C4HM1

MG15C4HM1材料：N-FET外形：图用途：变频换流,激励、驱动,MOSFET全桥组件,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：150&...

   2008-11-23

晶体管MG15D4HM1

MG15D4HM1材料：N-FET外形：图用途：变频换流,激励、驱动,MOSFET全桥组件,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：250&...

   2008-11-23

晶体管MG15D6EM1

MG15D6EM1材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限电流Im：1...

   2008-11-23

晶体管MG15G6EM1

MG15G6EM1材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流Im：1...

   2008-11-23

晶体管MG8G6EM1

MG8G6EM1材料：FET外形：图用途：增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流Im：8&nb...

   2008-11-23

晶体管MG15D4GM1

MG15D4GM1材料：N-FET外形：图用途：变频换流,激励、驱动,MOSFET全桥组件,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：250&...

   2008-11-23

晶体管MG15G4GM1

MG15G4GM1材料：N-FET外形：图用途：变频换流,激励、驱动,MOSFET全桥组件,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：450&...

   2008-11-23

晶体管MG8G4GM1

MG8G4GM1材料：FET外形：图用途：MOSFET全桥组件,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：450极限电流Im：8&...

   2008-11-23

晶体管BLF522

BLF522材料：N-FET外形：图用途：功率放大,微波,超高频,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流Im...

   2008-11-23

晶体管MEM560

MEM560材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：50m&...

   2008-11-20

晶体管MMF4

MMF4材料：N-FET外形：图用途：甚高频,极限电压Vm：30极限电流Im：10m最大漏极电流Ids...

   2008-11-20

M517

M517材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im...

   2008-11-20

晶体管MMF2

MMF2材料：N-FET外形：图用途：甚高频,极限电压Vm：30极限电流Im：10m最大漏极电流Ids...

   2008-11-20

晶体管MEM561C

MEM561C材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：50m&nb...

   2008-11-20

晶体管MEM561

MEM561材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：50m&nbs...

   2008-11-20

晶体管MEM562

MEM562材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：25m&...

   2008-11-20

晶体管MEM562C

MEM562C材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：25m...

   2008-11-20

晶体管MEM563

MEM563材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：25m&...

   2008-11-20

晶体管MEM575

MEM575材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：70...

   2008-11-20