晶体管FHX15FA

FHX15FA材料：GaAs,HEMT外形：图用途：宽频带放大,微波,极限电压Vm：3.5极限电流Im：60m&n...

   2008-11-25

晶体管FHX06FA

FHX06FA材料：GaAs,HEMT外形：图用途：宽频带放大,微波,极限电压Vm：3.5极限电流Im：30m&n...

   2008-11-25

晶体管FHX04FA

FHX04FA材料：GaAs,HEMT外形：图用途：宽频带放大,微波,极限电压Vm：3.5极限电流Im：30m&n...

   2008-11-25

晶体管FHX05FA

FHX05FA材料：GaAs,HEMT外形：图用途：宽频带放大,微波,极限电压Vm：3.5极限电流Im：30m&n...

   2008-11-25

晶体管FHC31FA

FHC31FA材料：GaAs,HEMT外形：图用途：宽频带放大,微波,极限电压Vm：3.5极限电流Im：85m&n...

   2008-11-25

晶体管FLR014FH

FLR014FH材料：GaAs外形：图用途：功率放大,微波,极限电压Vm：15极限电流Im：0.09最...

   2008-11-25

晶体管FLR016FH

FLR016FH材料：GaAs外形：图用途：功率放大,微波,极限电压Vm：15极限电流Im：0.1最大...

   2008-11-25

晶体管FLR026FH

FLR026FH材料：GaAs外形：图用途：功率放大,微波,极限电压Vm：15极限电流Im：0.18最...

   2008-11-25

晶体管FLR024FH

FLR024FH材料：GaAs外形：图用途：功率放大,微波,极限电压Vm：15极限电流Im：0.15最...

   2008-11-25

晶体管FHR01FH

FHR01FH材料：GaAs,HEMT外形：图用途：宽频带放大,微波,极限电压Vm：3.5极限电流Im：60m&n...

   2008-11-25

晶体管SC1612

SC1612材料：P-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：&n...

   2008-11-23

晶体管MPF108

MPF108材料：N-FET外形：图用途：甚高频,极限电压Vm：25极限电流Im：24m最大漏极电流I...

   2008-11-23

晶体管M511A

M511A材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流I...

   2008-11-23

晶体管MMF1

MMF1材料：N-FET外形：图用途：甚高频,极限电压Vm：30极限电流Im：10m最大漏极电流Ids...

   2008-11-23

晶体管MEM517C

MEM517C材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：5...

   2008-11-23

晶体管MEM520

MEM520材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50...

   2008-11-23

晶体管MEM520C

MEM520C材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：5...

   2008-11-23

晶体管SD214DE/R

SD214DE/R材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：...

   2008-11-23

晶体管MEM556

MEM556材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：20m&...

   2008-11-23

晶体管MG15G1AM1

MG15G1AM1材料：N-FET外形：图用途：开关,激励、驱动,MOSFET独立组件,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：450&nb...

   2008-11-23