晶体管SD213DE/R

SD213DE/R材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：10极限电流Im：...

   2008-11-16

晶体管MFE2000

MFE2000材料：N-FET外形：图用途：超高频,甚高频,极限电压Vm：25极限电流Im：100m最...

   2008-11-16

晶体管SD214

SD214材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：50m&...

   2008-11-16

晶体管SD210MKE

SD210MKE材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限...

   2008-11-16

晶体管SD212CHP

SD212CHP材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：5...

   2008-11-16

晶体管SD215DE/R

SD215DE/R材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：...

   2008-11-16

晶体管SD203DC

SD203DC材料：N-FET外形：图用途：超高频,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：50m&nb...

   2008-11-16

晶体管SD215DE

SD215DE材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：50...

   2008-11-16

晶体管SD210

SD210材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m...

   2008-11-16

晶体管SD2100

SD2100材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：50m...

   2008-11-16

M117

M117材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im...

   2008-11-14

M116A

M116A材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流I...

   2008-11-14

M114

M114材料：P-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流Im：50m&...

   2008-11-14

MEM805

MEM805材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流...

   2008-11-14

SD217DE

SD217DE材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：800m&nb...

   2008-11-14

M104

M104材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im...

   2008-11-14

SD215ADE

SD215ADE材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：5...

   2008-11-14

M103

M103材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im...

   2008-11-14

SD215CHP

SD215CHP材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：5...

   2008-11-14

MEM668

MEM668材料：N-FET外形：图用途：一般用途,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：5m&nbs...

   2008-11-14