晶体管IXFH42N20参数

IXFH42N20材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200 ...

   2008-09-03

晶体管JS0150A1(A)参数

JS0150A1(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流...

   2008-09-03

晶体管JS0230A1(A)参数

JS0230A1(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：300极限电流...

   2008-09-03

晶体管JS0190A0(A)参数

JS0190A0(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：900极限电流...

   2008-09-03

晶体管JS0180A0(A)参数

JS0180A0(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800极限电流...

   2008-09-03

晶体管JS0190C0(A)参数

JS0190C0(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：900极限电流...

   2008-09-03

晶体管JS022502(A)参数

JS022502(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限电流...

   2008-09-03

晶体管IXTH10N60A参数

IXTH10N60A材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：600极限电流I...

   2008-09-03

晶体管IXFH15N65参数

IXFH15N65材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：650 ...

   2008-09-03

晶体管JS0145A1(A)参数

JS0145A1(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流...

   2008-09-03

晶体管IXFH11N90参数

IXFH11N90材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：900 ...

   2008-09-03

晶体管IXFH10N60参数

IXFH10N60材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：600 ...

   2008-09-03

晶体管IXFH10N100参数

IXFH10N100材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000&nb...

   2008-09-03

晶体管IXFH10N65参数

IXFH10N65材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：650 ...

   2008-09-03

晶体管IXFH10N90参数

IXFH10N90材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：900 ...

   2008-09-03

晶体管IXFH11N100参数

IXFH11N100材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000&nb...

   2008-09-03

晶体管IXFH15N60参数

IXFH15N60材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：600 ...

   2008-09-03

晶体管IXFH11N80参数

IXFH11N80材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800 ...

   2008-09-03

晶体管IXFH13N90参数

IXFH13N90材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：900 ...

   2008-09-03

晶体管IXFH12N50参数

IXFH12N50材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500 ...

   2008-09-03