晶体管IRFP143参数

IRFP143材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：26...

   2008-09-03

晶体管IXTH42N20MB参数

IXTH42N20MB材料：N-FET外形：图用途：增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流Im：42&nb...

   2008-09-03

晶体管IRFP150参数

IRFP150材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：4...

   2008-09-03

晶体管IXTH42N20MA参数

IXTH42N20MA材料：N-FET外形：图用途：增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流Im：42&nb...

   2008-09-03

晶体管IRFP142参数

IRFP142材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：2...

   2008-09-03

晶体管OM9010SC参数

OM9010SC材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：500极限电流Im：4.5 ...

   2008-09-03

晶体管IXTH12N45(A)参数

IXTH12N45(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电...

   2008-09-03

晶体管IRFP141R参数

IRFP141R材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：80极限电流Im：3...

   2008-09-03

晶体管IXFH75N10参数

IXFH75N10材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200 ...

   2008-09-03

晶体管IXSH35N100参数

IXSH35N100材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：1000极限电流Im：35 ...

   2008-09-03

晶体管IXFH6N100参数

IXFH6N100材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000&nbs...

   2008-09-03

晶体管IXFH6N90参数

IXFH6N90材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：900...

   2008-09-03

晶体管IXSH35N100A参数

IXSH35N100A材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：1000极限电流Im：35&nbs...

   2008-09-03

晶体管IXSH40N60A参数

IXSH40N60A材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：600极限电流Im：40...

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晶体管IXSH40N60参数

IXSH40N60材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：600极限电流Im：40最...

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晶体管IXFH5N100参数

IXFH5N100材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000&nbs...

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晶体管IXFH67N10参数

IXFH67N10材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100 ...

   2008-09-03

晶体管IXFH50N20参数

IXFH50N20材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200 ...

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晶体管IXFH58N20参数

IXFH58N20材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200 ...

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晶体管JS014501(A)参数

JS014501(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流...

   2008-09-03