• 晶体管IRFIP340参数

    IRFIP340材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:400...

       2008-09-04

  • 晶体管IRFIP440参数

    IRFIP440材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:500...

       2008-09-04

  • 晶体管IRFP142R参数

    IRFP142R材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极限电流Im:...

       2008-09-04

  • 晶体管IRFIP450参数

    IRFIP450材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:500...

       2008-09-04

  • 晶体管IRFP240R参数

    IRFP240R材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:200极限电流Im:...

       2008-09-04

  • 晶体管IRFP054参数

    IRFP054材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:60极限电流Im:65...

       2008-09-04

  • 晶体管IXTH35N25MB参数

    IXTH35N25MB材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:250极限电流...

       2008-09-04

  • 晶体管IXFH40N30参数

    IXFH40N30材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:300 ...

       2008-09-04

  • 晶体管JS023002(A)参数

    JS023002(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:300极限电流...

       2008-09-04

  • 晶体管IXFH35N30参数

    IXFH35N30材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:300 ...

       2008-09-03

  • 晶体管JS0250A1(A)参数

    JS0250A1(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:500极限电流...

       2008-09-03

  • 晶体管JS0245A1(A)参数

    JS0245A1(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:450极限电流...

       2008-09-03

  • 晶体管IXFH21N50参数

    IXFH21N50材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:500 ...

       2008-09-03

  • 晶体管IXFH21N60参数

    IXFH21N60材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:600 ...

       2008-09-03

  • 晶体管IXFH7N80参数

    IXFH7N80材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:800...

       2008-09-03

  • 晶体管IXFH24N50参数

    IXFH24N50材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:500 ...

       2008-09-03

  • 晶体管JS0225A1(A)参数

    JS0225A1(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:250极限电流...

       2008-09-03

  • 晶体管IRFIP150参数

    IRFIP150材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100...

       2008-09-03

  • 晶体管OM9009SC参数

    OM9009SC材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:400极限电流Im:5.5 ...

       2008-09-03

  • 晶体管IRFP143R参数

    IRFP143R材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极限电流Im:...

       2008-09-03