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晶体管IRFIP340参数
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2008-09-04
晶体管IRFIP440参数
IRFIP440材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:500...
晶体管IRFP142R参数
IRFP142R材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极限电流Im:...
晶体管IRFIP450参数
IRFIP450材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:500...
晶体管IRFP240R参数
IRFP240R材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:200极限电流Im:...
晶体管IRFP054参数
IRFP054材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:60极限电流Im:65...
晶体管IXTH35N25MB参数
IXTH35N25MB材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:250极限电流...
晶体管IXFH40N30参数
IXFH40N30材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:300 ...
晶体管JS023002(A)参数
JS023002(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:300极限电流...
晶体管IXFH35N30参数
IXFH35N30材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:300 ...
2008-09-03
晶体管JS0250A1(A)参数
JS0250A1(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:500极限电流...
晶体管JS0245A1(A)参数
JS0245A1(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:450极限电流...
晶体管IXFH21N50参数
IXFH21N50材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:500 ...
晶体管IXFH21N60参数
IXFH21N60材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:600 ...
晶体管IXFH7N80参数
IXFH7N80材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:800...
晶体管IXFH24N50参数
IXFH24N50材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:500 ...
晶体管JS0225A1(A)参数
JS0225A1(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:250极限电流...
晶体管IRFIP150参数
IRFIP150材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100...
晶体管OM9009SC参数
OM9009SC材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:400极限电流Im:5.5 ...
晶体管IRFP143R参数
IRFP143R材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极限电流Im:...