晶体管MTW54N05E参数

MTW54N05E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：50...

   2008-09-05

晶体管MTW20N50E参数

MTW20N50E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500 ...

   2008-09-05

晶体管MTW22N20E参数

MTW22N20E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200 ...

   2008-09-05

晶体管IRFP244参数

IRFP244材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限电流Im：1...

   2008-09-05

晶体管IRFP245参数

IRFP245材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限电流Im：1...

   2008-09-05

晶体管MTW16N40E参数

MTW16N40E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400 ...

   2008-09-05

晶体管MTW15N25E参数

MTW15N25E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250 ...

   2008-09-05

晶体管OM9008SC参数

OM9008SC材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：200极限电流Im：9最...

   2008-09-05

晶体管OM9007SC参数

OM9007SC材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：100极限电流Im：14...

   2008-09-05

晶体管IXTH42N15MA参数

IXTH42N15MA材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：150极限电流...

   2008-09-04

晶体管IXTH39N10MB参数

IXTH39N10MB材料：N-FET外形：图用途：增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：39&nb...

   2008-09-04

晶体管IXTH39N10MA参数

IXTH39N10MA材料：N-FET外形：图用途：增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：39&nb...

   2008-09-04

晶体管IXTH39N08MB参数

IXTH39N08MB材料：N-FET外形：图用途：增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：80极限电流Im：39&nbs...

   2008-09-04

晶体管IXTH42N15MB参数

IXTH42N15MB材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：150极限电流...

   2008-09-04

晶体管IRFIP240参数

IRFIP240材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200...

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晶体管IRFIP448参数

IRFIP448材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500...

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晶体管IRFIP244参数

IRFIP244材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250...

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晶体管IRFIP250参数

IRFIP250材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200...

   2008-09-04

晶体管IRFP044参数

IRFP044材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：43...

   2008-09-04

晶体管IRFIP254参数

IRFIP254材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250...

   2008-09-04