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晶体管MTW10N100E参数
MTW10N100E材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:1000&nb...
2008-09-05
晶体管IXTH39N08MA参数
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晶体管MTW6N100E参数
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晶体管IRFP240参数
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晶体管IRFP141参数
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晶体管IRFIP350参数
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MTW35N15E材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:150 ...
晶体管MTW10N40E参数
MTW10N40E材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:400 ...
晶体管MTW32N25E参数
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晶体管MTW14N50E参数
MTW14N50E材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:500 ...
晶体管MTW32N20E参数
MTW32N20E材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:200 ...
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晶体管IRFP246参数
IRFP246材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:275极限电流Im:1...