晶体管IXTH5N100参数

IXTH5N100材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000极限电流I...

   2008-09-05

晶体管IRFP353参数

IRFP353材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：350极限电流Im：1...

   2008-09-05

晶体管IRFP045参数

IRFP045材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：43...

   2008-09-05

晶体管IRFP352参数

IRFP352材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限电流Im：1...

   2008-09-05

晶体管IRFP350F1参数

IRFP350F1材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限电流Im...

   2008-09-05

晶体管IRFIP140参数

IRFIP140材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100...

   2008-09-05

晶体管IXTH5N95A参数

IXTH5N95A材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：950极限电流Im...

   2008-09-05

晶体管MTW26N15E参数

MTW26N15E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450 ...

   2008-09-05

晶体管MTW8N50E参数

MTW8N50E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500...

   2008-09-05

晶体管IRFP247参数

IRFP247材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：275极限电流Im：1...

   2008-09-05

晶体管IRFP241R参数

IRFP241R材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：150极限电流Im：...

   2008-09-05

晶体管IRFP241参数

IRFP241材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：150极限电流Im：1...

   2008-09-05

晶体管IRFP242参数

IRFP242材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流Im：1...

   2008-09-05

晶体管IRFP243参数

IRFP243材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：150极限电流Im：1...

   2008-09-05

晶体管IRFP242R参数

IRFP242R材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流Im：...

   2008-09-05

晶体管MTW45N10E参数

MTW45N10E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100 ...

   2008-09-05

晶体管MTW8N60E参数

MTW8N60E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：600...

   2008-09-05

晶体管MTW4N80E参数

MTW4N80E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800...

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晶体管MTW7N80E参数

MTW7N80E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800...

   2008-09-05

晶体管IRFP243R参数

IRFP243R材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：150极限电流Im：...

   2008-09-05