晶体管IXFH12N100参数

IXFH12N100材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000&nb...

   2008-09-03

晶体管IXFH12N90参数

IXFH12N90材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：900 ...

   2008-09-03

晶体管IXFH13N50参数

IXFH13N50材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500 ...

   2008-09-03

晶体管IXFH13N65参数

IXFH13N65材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：650 ...

   2008-09-03

晶体管JS015001(A)参数

JS015001(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流...

   2008-09-03

晶体管IXFH26H50参数

IXFH26H50材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500 ...

   2008-09-03

晶体管IXFH11N60参数

IXFH11N60材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：600 ...

   2008-09-03

晶体管IXGH25N80(A)参数

IXGH25N80(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：800极限电流Im：50&nbs...

   2008-09-03

晶体管IXGH20N80(A)参数

IXGH20N80(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：800极限电流Im：40&nbs...

   2008-09-03

晶体管IXGH20N80A(A)参数

IXGH20N80A(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：800极限电流Im：40&nb...

   2008-09-03

晶体管IXGH20N90(A)参数

IXGH20N90(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：900极限电流Im：40&nbs...

   2008-09-03

晶体管IXGH20N90A(A)参数

IXGH20N90A(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：900极限电流Im：40&nb...

   2008-09-03

晶体管IXGH25N100(A)参数

IXGH25N100(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：1000极限电流Im：50&n...

   2008-09-03

晶体管IXGH20N100A(A)参数

IXGH20N100A(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：1000极限电流Im：40&...

   2008-09-03

晶体管IXGH20N60A(A)参数

IXGH20N60A(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：600极限电流Im：40&nb...

   2008-09-03

晶体管IXFH7N90参数

IXFH7N90材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：900...

   2008-09-03

晶体管IXFH13N80参数

IXFH13N80材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800 ...

   2008-09-03

晶体管JS013002(A)参数

JS013002(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：300极限电流...

   2008-09-03

晶体管IXFH20N60参数

IXFH20N60材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：600 ...

   2008-09-03

晶体管JS011KC0(A)参数

JS011KC0(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000极限电...

   2008-09-03