晶体管MD1.3N10参数

MD1.3N10材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100...

   2008-09-07

晶体管MD1P10参数

MD1P10材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限...

   2008-09-07

晶体管MD晶体管1N10参数

MD1N10材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限...

   2008-09-07

晶体管MD05N10参数

MD05N10材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极...

   2008-09-07

晶体管TM400-N参数

TM400-N材料：N-SIT外形：图用途：高频放大（射频放大）,功率放大,开关,极限电压Vm：800极限电流Im：400&n...

   2008-09-07

晶体管TM400-H参数

TM400-H材料：N-SIT外形：图用途：高频放大（射频放大）,功率放大,开关,极限电压Vm：1200极限电流Im：400&...

   2008-09-07

晶体管MG15N06E参数

MG15N06E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极...

   2008-09-07

晶体管TM401-N参数

TM401-N材料：N-SIT外形：图用途：高频放大（射频放大）,功率放大,开关,极限电压Vm：800极限电流Im：400&n...

   2008-09-07

晶体管MG3N40参数

MG3N40材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限...

   2008-09-07

晶体管MG5P20参数

MG5P20材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限...

   2008-09-06

晶体管MG2.5N20参数

MG2.5N20材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200...

   2008-09-06

晶体管MG18N20参数

MG18N20材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极...

   2008-09-06

晶体管MG25N06L参数

MG25N06L材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极...

   2008-09-06

晶体管MG2N25参数

MG2N25材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限...

   2008-09-06

晶体管MG35N06E参数

MG35N06E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极...

   2008-09-06

晶体管MG1.5N40参数

MG1.5N40材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400...

   2008-09-06

晶体管ME2N20-F参数

ME2N20-F材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200...

   2008-09-06

晶体管ME8N06E-F参数

ME8N06E-F材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60...

   2008-09-06

晶体管ME6N10-F参数

ME6N10-F材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100...

   2008-09-06

晶体管ME7N20-F参数

ME7N20-F材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200...

   2008-09-06