晶体管ME6P10-F参数

ME6P10-F材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100...

   2008-09-06

晶体管ME4P06-F参数

ME4P06-F材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极...

   2008-09-06

晶体管ME3P20-F参数

ME3P20-F材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200...

   2008-09-06

晶体管ME15N06E-F参数

ME15N06E-F材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60 ...

   2008-09-06

晶体管ME12P06-F参数

ME12P06-F材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60...

   2008-09-06

MTD10N05E1参数

MTD10N05E1材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：50极限电流Im...

   2008-09-06

晶体管IRFIP054参数

IRFIP054材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极...

   2008-09-06

晶体管ME10N10E-F参数

ME10N10E-F材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100&nbs...

   2008-09-06

晶体管MG8P20参数

MG8P20材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限...

   2008-09-06

晶体管MG4N10参数

MG4N10材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限...

   2008-09-06

晶体管MG5.5N40参数

MG5.5N40材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400...

   2008-09-06

晶体管MG8N10参数

MG8N10材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限...

   2008-09-06

晶体管MG40N06EL参数

MG40N06EL材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60...

   2008-09-06

晶体管MG4.5N50参数

MG4.5N50材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500...

   2008-09-06

晶体管MG8P10参数

MG8P10材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限...

   2008-09-06

晶体管MG2.5N50参数

MG2.5N50材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500...

   2008-09-06

晶体管MG9N20参数

MG9N20材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限...

   2008-09-06

晶体管MG5N20参数

MG5N20材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限...

   2008-09-06

晶体管MG8N50参数

MG8N50材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限...

   2008-09-06

晶体管MG15N06L参数

MG15N06L材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极...

   2008-09-06