晶体管TM101-M参数

TM101-M材料：N-SIT外形：图用途：高频放大（射频放大）,功率放大,开关,极限电压Vm：600极限电流Im：100&n...

   2008-09-07

晶体管TM201-N参数

TM201-N材料：N-SIT外形：图用途：高频放大（射频放大）,功率放大,开关,极限电压Vm：800极限电流Im：200&n...

   2008-09-07

晶体管NE76038参数

NE76038材料：GaAs,MES外形：图用途：微波,极限电压Vm：5极限电流Im：50m最大漏极电...

   2008-09-07

PU7456参数

PU7456材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：6...

   2008-09-07

晶体管NE345L-10B参数

NE345L-10B材料：GaAs外形：图用途：功率放大,微波,极限电压Vm：15极限电流Im：9m最...

   2008-09-07

晶体管KGF1860参数

KGF1860材料：GaAs,HEMT外形：图用途：微波,超高频,极限电压Vm：4极限电流Im：50m...

   2008-09-07

晶体管KGF1870参数

KGF1870材料：GaAs,HEMT外形：图用途：微波,超高频,极限电压Vm：4极限电流Im：70m...

   2008-09-07

晶体管ME2N20参数

ME2N20材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限...

   2008-09-07

晶体管ME6P10参数

ME6P10材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限...

   2008-09-07

晶体管ME8N06E参数

ME8N06E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限...

   2008-09-07

晶体管ME7N20参数

ME7N20材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限...

   2008-09-07

晶体管ME10N10E参数

ME10N10E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100...

   2008-09-07

晶体管ME6N10参数

ME6N10材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限...

   2008-09-07

晶体管ME3P20参数

ME3P20材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限...

   2008-09-07

晶体管ME4P06参数

ME4P06材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电...

   2008-09-07

晶体管ME15N06E参数

ME15N06E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极...

   2008-09-07

晶体管ME12P06参数

ME12P06材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限...

   2008-09-07

PTC181参数

PTC181材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,极限电压Vm：27极限电流Im：10m最大漏极电流...

   2008-09-07

晶体管MD08N20参数

MD08N20材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极...

   2008-09-07

晶体管MD06N20参数

MD06N20材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极...

   2008-09-07