晶体管U139

U139材料：P-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：30极限电流Im：35m最大漏极电流Ids...

   2008-12-10

晶体管M441

M441材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,极限电压Vm：25极限电流Im：50m ...

   2008-12-10

晶体管M440

M440材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,极限电压Vm：25极限电流Im：50m ...

   2008-12-10

晶体管U139D

U139D材料：P-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：20极限电流Im：50m最大漏极电流Id...

   2008-12-10

晶体管SD5051

SD5051材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：25m&nbs...

   2008-12-10

晶体管SD5010

SD5010材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：25m&nbs...

   2008-12-10

晶体管SD5050

SD5050材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：25m&nbs...

   2008-12-10

晶体管SD5015

SD5015材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：25m&nb...

   2008-12-10

晶体管SD5014

SD5014材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：25m&nb...

   2008-12-10

晶体管SD5013

SD5013材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：65极限电流Im：25m&nbs...

   2008-12-10

晶体管MFE3957(A)

MFE3957(A)材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：&...

   2008-12-08

晶体管MFE3956(A)

MFE3956(A)材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：&...

   2008-12-08

晶体管MFE3955(A)

MFE3955(A)材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：&...

   2008-12-08

晶体管UCX2701

UCX2701材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流Im：5...

   2008-12-08

晶体管ML102A

ML102A材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：50m...

   2008-12-08

晶体管M107

M107材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m...

   2008-12-08

晶体管SD212HD

SD212HD材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50...

   2008-12-08

晶体管MEM517C-2M

MEM517C-2M材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流I...

   2008-12-08

晶体管M108

M108材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m...

   2008-12-08

晶体管MEM550

MEM550材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：25m&nbs...

   2008-12-08