晶体管MEM955

MEM955材料：P-FET外形：图用途：配对管,高频放大（射频放大）,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：35极限电...

   2008-12-12

晶体管2SK1100

2SK1100材料：N-FET外形：图用途：微波,极限电压Vm：4极限电流Im：60m最大漏极电流Id...

   2008-12-12

晶体管2SK1962

2SK1962材料：HEMT外形：图用途：微波,极限电压Vm：4极限电流Im：60m最大漏极电流Ids...

   2008-12-12

晶体管2SK1196

2SK1196材料：GaAs,MES外形：图用途：微波,极限电压Vm：6极限电流Im：70m最大漏极电...

   2008-12-12

晶体管2SK1964

2SK1964材料：HEMT外形：图用途：微波,极限电压Vm：4极限电流Im：60m最大漏极电流Ids...

   2008-12-12

晶体管2SK1963

2SK1963材料：HEMT外形：图用途：微波,极限电压Vm：4极限电流Im：60m最大漏极电流Ids...

   2008-12-12

晶体管2SK1689

2SK1689材料：GaAs外形：图用途：微波,极限电压Vm：6极限电流Im：70m最大漏极电流Ids...

   2008-12-12

晶体管2SK1687

2SK1687材料：HEMT外形：图用途：微波,极限电压Vm：4极限电流Im：60m最大漏极电流Ids...

   2008-12-12

晶体管2SK1688

2SK1688材料：HEMT外形：图用途：微波,极限电压Vm：4极限电流Im：60m最大漏极电流Ids...

   2008-12-12

晶体管2SK689

2SK689材料：SB外形：图用途：微波,极限电压Vm：6极限电流Im：70m最大漏极电流Idss：&...

   2008-12-12

晶体管UC2766

UC2766材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m&nbs...

   2008-12-10

晶体管U430

U430材料：N-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：25极限电流Im：30m最大漏极电流Ids...

   2008-12-10

晶体管MEM955A

MEM955A材料：P-FET外形：图用途：配对管,高频放大（射频放大）,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：35极限...

   2008-12-10

晶体管MEM955B

MEM955B材料：P-FET外形：图用途：配对管,高频放大（射频放大）,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：35极限...

   2008-12-10

晶体管KFZ51

KFZ51材料：N-FET,NPN外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：30m...

   2008-12-10

晶体管ML102B

ML102B材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：50m...

   2008-12-10

晶体管KFZ50

KFZ50材料：N-FET,NPN外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：30m...

   2008-12-10

晶体管ML132A

ML132A材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：20m&nbs...

   2008-12-10

晶体管M5911

M5911材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,极限电压Vm：25极限电流Im：40m&nbs...

   2008-12-10

晶体管SD2110

SD2110材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：50m&nb...

   2008-12-10