晶体管2SK697

2SK697材料：SB外形：图用途：音频（低频）,极限电压Vm：5极限电流Im：50m最大漏极电流Id...

   2008-12-21

晶体管2SK650

2SK650材料：N-SB外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：6极限电流Im：120m最...

   2008-12-21

晶体管2SK651

2SK651材料：N-SB外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：6极限电流Im：150m最...

   2008-12-21

晶体管2SK648

2SK648材料：GaAs,MES外形：图用途：微波,极限电压Vm：6极限电流Im：120m最大漏极电...

   2008-12-21

晶体管3N212

3N212材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,前置/输入级,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：27极限电...

   2008-12-21

晶体管2SK649

2SK649材料：GaAs,MES外形：图用途：微波,混频,极限电压Vm：6极限电流Im：80m最大漏...

   2008-12-21

晶体管BF350

BF350材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：30m...

   2008-12-21

晶体管BF351

BF351材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：24极限电流Im：30m&nbs...

   2008-12-21

晶体管BF352

BF352材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：24极限电流Im：30m&nbs...

   2008-12-21

晶体管BF353

BF353材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：24极限电流Im：30m&nbs...

   2008-12-21

晶体管2SK1568

2SK1568材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限电流Im...

   2008-12-18

晶体管2SK1569

2SK1569材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：300极限电流Im...

   2008-12-18

晶体管2SK1633

2SK1633材料：N-FET外形：图用途：功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：700极限电流Im：5&nb...

   2008-12-18

晶体管2SK1631

2SK1631材料：N-FET外形：图用途：功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：700极限电流Im：3&nb...

   2008-12-18

晶体管2SK934

2SK934材料：N-FET外形：图用途：功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限电流Im：8&nbs...

   2008-12-18

晶体管2SK1143

2SK1143材料：N-FET外形：图用途：功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：900极限电流Im：2&nb...

   2008-12-18

晶体管2SK732

2SK732材料：N-FET外形：图用途：功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流Im：10&nb...

   2008-12-18

晶体管2SK1025

2SK1025材料：N-FET外形：图用途：功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：50极限电流Im：20&nb...

   2008-12-18

晶体管2SK1558

2SK1558材料：N-FET外形：图用途：功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：15&n...

   2008-12-18

晶体管2SK1139

2SK1139材料：N-FET外形：图用途：功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：150极限电流Im：13&n...

   2008-12-18