晶体管3N187

3N187材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：30m...

   2008-12-25

晶体管3N201

3N201材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,前置/输入级,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电...

   2008-12-25

晶体管3N223

3N223材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：12m...

   2008-12-25

晶体管3N203A

3N203A材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,前置/输入级,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限...

   2008-12-25

晶体管3N203

3N203材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,前置/输入级,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电...

   2008-12-25

晶体管3N204

3N204材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,前置/输入级,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电...

   2008-12-25

晶体管3N206

3N206材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,前置/输入级,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电...

   2008-12-25

晶体管3N205

3N205材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,前置/输入级,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电...

   2008-12-25

晶体管3N209

3N209材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,超高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：30m...

   2008-12-25

晶体管3N213

3N213材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,前置/输入级,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：35极限电...

   2008-12-25

晶体管2SK1104

2SK1104材料：N-FET外形：图用途：开关,极限电压Vm：65极限电流Im：6m最大漏极电流Id...

   2008-12-21

晶体管2SJ129

2SJ129材料：P-FET外形：图用途：音频（低频）,极限电压Vm：50极限电流Im：14m最大漏极...

   2008-12-21

晶体管3SK193

3SK193材料：N-FET外形：图用途：耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：15极限电流Im...

   2008-12-21

晶体管2SK656

2SK656材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：50极限电流Im：1&...

   2008-12-21

晶体管3SK200

3SK200材料：N-FET外形：图用途：耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：15极限电流Im...

   2008-12-21

晶体管3SK241

3SK241材料：GaAs,MES外形：图用途：双栅四极,极限电压Vm：13极限电流Im：35m最大漏...

   2008-12-21

晶体管2SK653

2SK653材料：GaAs,MES外形：图用途：宽频带放大,高频放大（射频放大）,极限电压Vm：5极限电流Im：50m&nbs...

   2008-12-21

晶体管3SK187

3SK187材料：N-FET外形：图用途：宽频带放大,双栅四极,高频放大（射频放大）,肖特基势垒栅场效应晶体管,极限电压Vm：20&nbs...

   2008-12-21

晶体管3SK192

3SK192材料：N-FET外形：图用途：耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：15极限电流Im...

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晶体管3SK201

3SK201材料：GaAs,MES外形：图用途：双栅四极,极限电压Vm：13极限电流Im：35m最大漏...

   2008-12-21