晶体管SD306DE

SD306DE材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,开关,甚高频,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流I...

   2008-12-31

晶体管MEM688

MEM688材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：30m&nb...

   2008-12-31

晶体管MEM683

MEM683材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：25m&nb...

   2008-12-31

晶体管MEM682

MEM682材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：20m&nb...

   2008-12-31

晶体管MEM640

MEM640材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：20m&nb...

   2008-12-31

晶体管MEM618

MEM618材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：20m&nb...

   2008-12-31

晶体管MEM681

MEM681材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：20m&nb...

   2008-12-31

晶体管SD303DC

SD303DC材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,超高频,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：5...

   2008-12-31

晶体管SD300DC

SD300DC材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,超高频,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：5...

   2008-12-31

晶体管MEM641

MEM641材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：20m&nb...

   2008-12-31

晶体管3N200

3N200材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,超高频,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im...

   2008-12-28

HR晶体管3N200

HR3N200材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：12m&n...

   2008-12-28

HR晶体管3N187

HR3N187材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：30m&n...

   2008-12-28

晶体管3N211

3N211材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,前置/输入级,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：27极限电...

   2008-12-28

晶体管3SK41

3SK41材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,高频放大（射频放大）,甚高频,混频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压V...

   2008-12-28

晶体管3SK40

3SK40材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,高频放大（射频放大）,甚高频,混频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压V...

   2008-12-28

晶体管HEPF2004

HEPF2004材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：30m&...

   2008-12-28

晶体管MEM554

MEM554材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：30m ...

   2008-12-28

晶体管MEM554C

MEM554C材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：30m&nbs...

   2008-12-28

晶体管MFE120

MFE120材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：18...

   2008-12-28