晶体管E231参数

E231材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：40极限电流Im：6m最大漏极电流Ids...

   2017-05-16

晶体管E230参数

E230材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：40极限电流Im：3m最大漏极电流Ids...

   2017-05-16

晶体管HSC5485参数

HSC5485材料：N-FET外形：图用途：超高频,甚高频,极限电压Vm：25极限电流Im：10m最大...

   2017-05-16

晶体管E212参数

E212材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：25极限电流Im：40m最大漏极电流Id...

   2017-05-16

晶体管E175参数

E175材料：P-FET外形：图用途：开关,极限电压Vm：30极限电流Im：60m最大漏极电流Idss...

   2017-05-16

晶体管KE4223参数

KE4223材料：N-FET外形：图用途：前置/输入级,甚高频,混频,极限电压Vm：30极限电流Im：18m&nb...

   2017-05-16

可以相互替代的一些场效应管

如无特别说明，同一条内的管子可以相互替换． 1、SD9435SOP-8<5.3A30V50mΩ>，可替代市面上各类型9435： APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9...

未知   2014-05-10

组合场效应管AO4600

概述：AO4600是一个（N沟 30V 6.9A）+（P沟 30V 5A）1.44W 带阻尼的组合场效应管。它可以和SI4532、SI4539、SI4544、SI4558、SI4562、SI9928、SI9939、SI4500、SI4542、FDS8928A、 FDS8958A、NDS99...

中华维修   2014-02-27

组合场效应管STM8405

概述：STM8405是(N沟30V7A)+(P沟30V5A)8W带阻尼的组合场效应管，它可以和SP8M3互换。 ...

中华维修   2014-02-27

组合场效应管SP8M3

概述：SP8M3是一款(N沟30V5A)+(P沟30V4.5A)2W带阻尼的组合场效应管。它可以和STM8405互换。 ...

中华维修   2014-02-27

晶体管MFE211

MFE211材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,一般用途,极限电压Vm：20极限电流Im：50m最...

   2008-12-31

晶体管MFE209

MFE209材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,一般用途,极限电压Vm：20极限电流Im：30m最...

   2008-12-31

晶体管MFE3006

MFE3006材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,前置/输入级,甚高频,混频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25&nbs...

   2008-12-31

晶体管MFE212

MFE212材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,一般用途,极限电压Vm：20极限电流Im：50m最...

   2008-12-31

晶体管MFE3007

MFE3007材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,前置/输入级,甚高频,混频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25&nbs...

   2008-12-31

晶体管MEF130

MEF130材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：30...

   2008-12-31

晶体管MEM680

MEM680材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：30m&nb...

   2008-12-31

晶体管SD304DE

SD304DE材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,超高频,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：5...

   2008-12-31

晶体管SD305DE

SD305DE材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,超高频,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：1...

   2008-12-31

晶体管MEM689

MEM689材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：30m&nb...

   2008-12-31