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    MOD100材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:100极限电流Im:21最大...

       2017-05-16

  • 晶体管MOD200参数

    MOD200材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:200极限电流Im:21最大...

       2017-05-16

  • 晶体管BLF147参数

    BLF147材料:N-FET外形:图用途:功率放大,微波,极限电压Vm:65极限电流Im:最大漏极电流...

       2017-05-16

  • 晶体管MOD400参数

    MOD400材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:400极限电流Im:15最大...

       2017-05-16

  • 晶体管BLF146(A)参数

    BLF146(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:65极限电流Im:...

       2017-05-16

  • 晶体管MOD500参数

    MOD500材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:500极限电流Im:13最大...

       2017-05-16

  • 晶体管BLF145(A)参数

    BLF145(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,微波,极限电压Vm:65极限电流Im:最大漏...

       2017-05-16

  • 晶体管TIXM12参数

    TIXM12材料:Ge-P-FET外形:图用途:前置/输入级,甚高频,混频,极限电压Vm:20极限电流Im:25m...

       2017-05-16

  • 晶体管MRF137参数

    MRF137材料:N-FET外形:图用途:功率放大,微波,超高频,极限电压Vm:65极限电流Im:5最...

       2017-05-16

  • 晶体管OM400A参数

    OM400A材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:400极限电流Im:15最大...

       2017-05-16

  • 晶体管MRF138参数

    MRF138材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:65极限电...

       2017-05-16

  • 晶体管OM9004SS参数

    OM9004SS材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:500极限电流Im:13...

       2017-05-16

  • 晶体管MRF150参数

    MRF150材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:125极限...

       2017-05-16

  • 晶体管OM9005SDP参数

    OM9005SDP材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:100极限电流Im:5...

       2017-05-16

  • 晶体管MRF140参数

    MRF140材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:65极限电...

       2017-05-16

  • 晶体管OMD500参数

    OMD500材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:500极限电流Im:14最大...

       2017-05-16

  • 晶体管MRF141参数

    MRF141材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:65极限电...

       2017-05-16

  • 晶体管OMD400参数

    OMD400材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:420极限电流Im:15最大...

       2017-05-16

  • 晶体管MRF172参数

    MRF172材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:65极限电...

       2017-05-16

  • 晶体管OM9006SDP参数

    OM9006SDP材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:60极限电流Im:5最...

       2017-05-16