晶体管APT9040CFN参数

APT9040CFN材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：900极限电流Im：24.5&n...

   2017-05-16

晶体管2SK54参数

2SK54材料：N-FET外形：图用途：调频,混频,甚高频,极限电压Vm：15极限电流Im：5m最大漏...

   2017-05-16

晶体管2SK54-B参数

2SK54-B材料：N-FET外形：图用途：调频,混频,甚高频,极限电压Vm：15极限电流Im：2.4m ...

   2017-05-16

晶体管2SK54-C参数

2SK54-C材料：N-FET外形：图用途：调频,混频,甚高频,极限电压Vm：15极限电流Im：5m最...

   2017-05-16

晶体管2SK55参数

2SK55材料：N-FET外形：图用途：调频,混频,甚高频,极限电压Vm：15极限电流Im：14m最大...

   2017-05-16

晶体管2SK435参数

2SK435材料：N-FET外形：图用途：宽频带放大,高频放大（射频放大）,音频（低频）,极限电压Vm：22极限电流Im：40...

   2017-05-16

晶体管2SK55-E参数

2SK55-E材料：N-FET外形：图用途：调频,混频,甚高频,极限电压Vm：15极限电流Im：14m...

   2017-05-16

晶体管2SK359参数

2SK359材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电...

   2017-05-16

晶体管2SK55-D参数

2SK55-D材料：N-FET外形：图用途：调频,混频,甚高频,极限电压Vm：15极限电流Im：7m最...

   2017-05-16

晶体管2SK291参数

2SK291材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：15极限电流Im：50m...

   2017-05-16

晶体管MRF171参数

MRF171材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：65极限电...

   2017-05-16

晶体管MRF166(A)参数

MRF166(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：28极限电流Im： ...

   2017-05-16

晶体管APT7530FN参数

APT7530FN材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：750极限电流Im...

   2017-05-16

晶体管APT8016DFN参数

APT8016DFN材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：750极限电流Im：47&nbs...

   2017-05-16

晶体管APT8030FN参数

APT8030FN材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800极限电流Im...

   2017-05-16

晶体管OM500A参数

OM500A材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：500极限电流Im：13最大...

   2017-05-16

晶体管OM9002SS参数

OM9002SS材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：200极限电流Im：25...

   2017-05-16

晶体管OM200A参数

OM200A材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：200极限电流Im：20最大...

   2017-05-16

晶体管OM6201SS参数

OM6201SS材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：100极限电流Im：30...

   2017-05-16

晶体管OM100A参数

OM100A材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：100极限电流Im：20最大...

   2017-05-16