晶体管MGM5N45参数

MGM5N45材料：N-IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：450极限电流Im：5最大...

   2008-09-18

晶体管IXFM50N20参数

IXFM50N20材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：300 ...

   2008-09-18

晶体管IXGM20N60A(A)参数

IXGM20N60A(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：600极限电流Im：40&nb...

   2008-09-18

晶体管IXGM20N80A(A)参数

IXGM20N80A(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：800极限电流Im：40&nb...

   2008-09-18

晶体管IXGM20N80(A)参数

IXGM20N80(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：800极限电流Im：40&nbs...

   2008-09-18

晶体管IXGM20N90A(A)参数

IXGM20N90A(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：900极限电流Im：40&nb...

   2008-09-18

晶体管IXGM20N90(A)参数

IXGM20N90(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：900极限电流Im：40&nbs...

   2008-09-18

晶体管IXGM25N100(A)参数

IXGM25N100(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：1000极限电流Im：50&n...

   2008-09-18

晶体管MTM12P05参数

MTM12P05材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：50极限电流Im：1...

   2008-09-18

晶体管IRH150(A)参数

IRH150(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im...

   2008-09-18

晶体管RFK30N12参数

RFK30N12材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：...

   2008-09-18

晶体管MTM10N06参数

MTM10N06材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：1...

   2008-09-18

晶体管MTM10N100E参数

MTM10N100E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000极限电流...

   2008-09-18

晶体管MTM10N15参数

MTM10N15材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：150极限电流Im：...

   2008-09-18

晶体管MTM10N12参数

MTM10N12材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：...

   2008-09-18

晶体管MTM10N25参数

MTM10N25材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限电流Im：...

   2008-09-18

晶体管IRH8450参数

IRH8450材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极...

   2008-09-18

晶体管MTM12N18参数

MTM12N18材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：180极限电流Im：...

   2008-09-18

晶体管IRH8250参数

IRH8250材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极...

   2008-09-18

晶体管IRH250参数

IRH250材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流Im：30...

   2008-09-18