• 晶体管IRFH8150参数

    IRFH8150材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100...

       2008-09-19

  • 晶体管MTP50N05E参数

    MTP50N05E材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:50极限电流Im:...

       2008-09-19

  • 晶体管IRFJ120参数

    IRFJ120材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极限电流Im:8...

       2008-09-19

  • 晶体管IRFJ121参数

    IRFJ121材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:60极限电流Im:8&...

       2008-09-19

  • 晶体管IRFJ122参数

    IRFJ122材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极限电流Im:7...

       2008-09-19

  • 晶体管IRFJ123参数

    IRFJ123材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:60极限电流Im:7&...

       2008-09-19

  • 晶体管IRFJ130参数

    IRFJ130材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极限电流Im:1...

       2008-09-19

  • 晶体管IRFJ131参数

    IRFJ131材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:60极限电流Im:10...

       2008-09-19

  • 晶体管IRFJ240参数

    IRFJ240材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:200极限电流Im:1...

       2008-09-19

  • 晶体管IXGM10N90A(A)参数

    IXGM10N90A(A)材料:IGBT外形:图用途:功率放大,开关,极限电压Vm:900极限电流Im:20&nb...

       2008-09-18

  • 晶体管IXGM17N100(A)参数

    IXGM17N100(A)材料:IGBT外形:图用途:功率放大,开关,极限电压Vm:1000极限电流Im:17&n...

       2008-09-18

  • 晶体管IXFM11N100参数

    IXFM11N100材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:1000&nb...

       2008-09-18

  • 晶体管IXFM35N30(A)参数

    IXFM35N30(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:300&n...

       2008-09-18

  • 晶体管IXGM17N100A(A)参数

    IXGM17N100A(A)材料:IGBT外形:图用途:功率放大,开关,极限电压Vm:1000极限电流Im:17&...

       2008-09-18

  • 晶体管IXGM20N100(A)参数

    IXGM20N100(A)材料:IGBT外形:图用途:功率放大,开关,极限电压Vm:1000极限电流Im:40&n...

       2008-09-18

  • 晶体管IXGM20N50(A)参数

    IXGM20N50(A)材料:IGBT外形:图用途:功率放大,开关,极限电压Vm:500极限电流Im:40&nbs...

       2008-09-18

  • 晶体管IXGM20N100A(A)参数

    IXGM20N100A(A)材料:IGBT外形:图用途:功率放大,开关,极限电压Vm:1000极限电流Im:40&...

       2008-09-18

  • 晶体管IXGM20N50A(A)参数

    IXGM20N50A(A)材料:IGBT外形:图用途:功率放大,开关,极限电压Vm:500极限电流Im:40&nb...

       2008-09-18

  • 晶体管MGM12N20参数

    MGM12N20材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:200极限电流Im:...

       2008-09-18

  • 晶体管MTM6N55参数

    MTM6N55材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:550极...

       2008-09-18