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晶体管IRFH8150参数
IRFH8150材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100...
2008-09-19
晶体管MTP50N05E参数
MTP50N05E材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:50极限电流Im:...
晶体管IRFJ120参数
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晶体管IRFJ121参数
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晶体管IRFJ122参数
IRFJ122材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极限电流Im:7...
晶体管IRFJ123参数
IRFJ123材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:60极限电流Im:7&...
晶体管IRFJ130参数
IRFJ130材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极限电流Im:1...
晶体管IRFJ131参数
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晶体管IRFJ240参数
IRFJ240材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:200极限电流Im:1...
晶体管IXGM10N90A(A)参数
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2008-09-18
晶体管IXGM17N100(A)参数
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晶体管IXFM11N100参数
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晶体管IXFM35N30(A)参数
IXFM35N30(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:300&n...
晶体管IXGM17N100A(A)参数
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晶体管IXGM20N100(A)参数
IXGM20N100(A)材料:IGBT外形:图用途:功率放大,开关,极限电压Vm:1000极限电流Im:40&n...
晶体管IXGM20N50(A)参数
IXGM20N50(A)材料:IGBT外形:图用途:功率放大,开关,极限电压Vm:500极限电流Im:40&nbs...
晶体管IXGM20N100A(A)参数
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晶体管IXGM20N50A(A)参数
IXGM20N50A(A)材料:IGBT外形:图用途:功率放大,开关,极限电压Vm:500极限电流Im:40&nb...
晶体管MGM12N20参数
MGM12N20材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:200极限电流Im:...
晶体管MTM6N55参数
MTM6N55材料:N-FET外形:图用途:功率放大,音频(低频),开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:550极...