晶体管FT6121D参数

FT6121D材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：2.5...

   2008-10-04

晶体管FT6120D参数

FT6120D材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：1.5...

   2008-10-04

晶体管FT6015参数

FT6015材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：10&nb...

   2008-10-04

晶体管FT6112参数

FT6112材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：4.5&...

   2008-10-04

晶体管FT6012D参数

FT6012D材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：6.5&...

   2008-10-04

晶体管FT6111D参数

FT6111D材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：3&n...

   2008-10-04

晶体管FT6111参数

FT6111材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：3&nb...

   2008-10-04

晶体管FT6110D参数

FT6110D材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：2&n...

   2008-10-04

晶体管FT6112D参数

FT6112D材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：4.5...

   2008-10-04

晶体管2SK1571参数

2SK1571材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流Im...

   2008-10-03

晶体管2SK1679参数

2SK1679材料：N-FET外形：图用途：功率放大,激励、驱动,极限电压Vm：450极限电流Im：20 ...

   2008-10-03

晶体管2SK1408参数

2SK1408材料：N-FET外形：图用途：功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流Im：16&n...

   2008-10-03

晶体管3SK19参数

3SK19材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,高频放大（射频放大）,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：1...

   2008-10-03

晶体管3SK18参数

3SK18材料：N-FET外形：图用途：宽频带放大,双栅四极,音频（低频）,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：15&...

   2008-10-03

3N89参数

3N89材料：P-FET外形：图用途：双栅四极,一般用途,极限电压Vm：30极限电流Im：2.5m最大...

   2008-10-03

晶体管MM2092参数

MM2092材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,音频（低频）,甚高频,极限电压Vm：50极限电流Im：5m&n...

   2008-10-03

晶体管MM2091参数

MM2091材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,音频（低频）,甚高频,极限电压Vm：50极限电流Im：3m&n...

   2008-10-03

晶体管TIXS81参数

TIXS81材料：P-FET外形：图用途：双栅四极,极限电压Vm：30极限电流Im：75m最大漏极电流...

   2008-10-03

晶体管TIXS80参数

TIXS80材料：P-FET外形：图用途：双栅四极,极限电压Vm：30极限电流Im：25m最大漏极电流...

   2008-10-03

晶体管MM2090参数

MM2090材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,音频（低频）,甚高频,极限电压Vm：50极限电流Im：2m&n...

   2008-10-03