晶体管2SK879参数

2SK879材料：N-FET外形：图用途：前置/输入级,极限电压Vm：50极限电流Im：6.5m最大漏...

   2008-10-04

晶体管2SK881参数

2SK881材料：N-FET外形：图用途：甚高频,极限电压Vm：18极限电流Im：10m最大漏极电流I...

   2008-10-04

晶体管2SK880参数

2SK880材料：N-FET外形：图用途：音频（低频）,极限电压Vm：50极限电流Im：14m最大漏极...

   2008-10-04

晶体管2SK1958参数

2SK1958材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：16极限电流Im：0.1&...

   2008-10-04

晶体管2SK852参数

2SK852材料：N-FET外形：图用途：音频（低频）,开关,极限电压Vm：50极限电流Im：12m最...

   2008-10-04

晶体管3SK189参数

3SK189材料：GaAs,MES外形：图用途：双栅四极,极限电压Vm：13极限电流Im：40m最大漏...

   2008-10-04

晶体管3SK168参数

3SK168材料：GaAs,MES外形：图用途：双栅四极,高频放大（射频放大）,超高频,极限电压Vm：12极限电流Im：55m...

   2008-10-04

晶体管2SK1450参数

2SK1450材料：N-FET外形：图用途：功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流Im：20&n...

   2008-10-04

晶体管3SK167参数

3SK167材料：GaAs,MES外形：图用途：双栅四极,高频放大（射频放大）,超高频,极限电压Vm：12极限电流Im：55m...

   2008-10-04

晶体管FTR6120参数

FTR6120材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：1.5...

   2008-10-04

晶体管FT6022D参数

FT6022D材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：6&nb...

   2008-10-04

晶体管FT6021参数

FT6021材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：3&nbs...

   2008-10-04

晶体管FT6120参数

FT6120材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：1.5&...

   2008-10-04

晶体管FT6021D参数

FT6021D材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：3&nb...

   2008-10-04

晶体管FT6022参数

FT6022材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：6&nbs...

   2008-10-04

晶体管FT6025参数

FT6025材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：9&nbs...

   2008-10-04

晶体管FT6121参数

FT6121材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：2.5&...

   2008-10-04

晶体管FT6122D参数

FT6122D材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：4&n...

   2008-10-04

晶体管FT6221参数

FT6221材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流Im：2.5&...

   2008-10-04

晶体管FT6122参数

FT6122材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：4&nb...

   2008-10-04