晶体管IRFM044参数

IRFM044材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限...

   2008-10-16

晶体管IRFM460参数

IRFM460材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极...

   2008-10-16

晶体管IRFM9140参数

IRFM9140材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100...

   2008-10-16

晶体管IRFM9130参数

IRFM9130材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100...

   2008-10-16

晶体管IXFL13N65参数

IXFL13N65材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：650 ...

   2008-10-16

晶体管IXFL10N60参数

IXFL10N60材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：600 ...

   2008-10-16

晶体管IRFM9230参数

IRFM9230材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200...

   2008-10-16

晶体管IRFM440参数

IRFM440材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极...

   2008-10-16

晶体管IRFM9240参数

IRFM9240材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200...

   2008-10-16

晶体管IXTL250(A)参数

IXTL250(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流I...

   2008-10-15

晶体管MHM12N50H-X(A)参数

MHM12N50H-X(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极...

   2008-10-15

晶体管MHM25N10(A)参数

MHM25N10(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流...

   2008-10-15

晶体管MHM12N50H-XV(A)参数

MHM12N50H-XV(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500...

   2008-10-15

晶体管IXTL24N40(A)参数

IXTL24N40(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限电...

   2008-10-15

晶体管IXTL24N10(A)参数

IXTL24N10(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电...

   2008-10-15

晶体管IXTL21P20参数

IXTL21P20材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200 ...

   2008-10-15

晶体管IXTL18N50(A)参数

IXTL18N50(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电...

   2008-10-15

晶体管MHM20P10(A)参数

MHM20P10(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流...

   2008-10-15

晶体管IXTL24P10参数

IXTL24P10材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100 ...

   2008-10-15

晶体管MHM5N100(A)参数

MHM5N100(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：1000极限电流Im：5&nbs...

   2008-10-15