晶体管MHM12N50(A)参数

MHM12N50(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流...

   2008-10-16

晶体管IXTL15N20(A)参数

IXTL15N20(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电...

   2008-10-16

晶体管IXTL14P20参数

IXTL14P20材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200 ...

   2008-10-16

晶体管IXTL150(A)参数

IXTL150(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流I...

   2008-10-16

晶体管IXTL14N60(A)参数

IXTL14N60(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：600极限电...

   2008-10-16

晶体管IXTL13N65(A)参数

IXTL13N65(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：650极限电...

   2008-10-16

晶体管IXTL11P40参数

IXTL11P40材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400 ...

   2008-10-16

晶体管IXTL10P20参数

IXTL10P20材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200 ...

   2008-10-16

晶体管IXTL10P50参数

IXTL10P50材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500 ...

   2008-10-16

晶体管IXTL25P10参数

IXTL25P10材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100 ...

   2008-10-16

晶体管MHM5N100HX(A)参数

MHM5N100HX(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：1000极限电流Im：5&n...

   2008-10-16

晶体管IXTL7P50(A)参数

IXTL7P50(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500&nb...

   2008-10-16

晶体管MHM5N100H-XV(A)参数

MHM5N100H-XV(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：1000极限电流Im：5...

   2008-10-16

晶体管MHM8N20HX参数

MHM8N20HX材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流Im...

   2008-10-16

晶体管MHM8P20HX参数

MHM8P20HX材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流Im...

   2008-10-16

晶体管MHM8P20(A)参数

MHM8P20(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流I...

   2008-10-16

晶体管MHM8P20H-XV参数

MHM8P20H-XV材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流...

   2008-10-16

晶体管IXTL350(A)参数

IXTL350(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限电流I...

   2008-10-16

晶体管IRHM150参数

IRHM150材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极...

   2008-10-16

晶体管MHM25N20H-X(A)参数

MHM25N20H-X(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极...

   2008-10-16