BiCMOS是继CMOS后的新一代高性能VLSI工艺。CMOS以低功耗、高密度成为上世纪80年代VLSI的主流工艺。随着厚度的逐步缩小，电路性能不断得到提高，但是当厚度降到1um以下时，由于载流子速度饱和等原因它的潜力受到很大的限制。把CMOS和Bipolar集成在同一芯片上，发挥各自的优势，克服缺点，可以使电路达到高速度、低功耗。

         BiCMOS工艺一般以CMOS工艺为基础，增加少量的工艺步骤而成。BiCMOS(Bipolar CMOS)是CMOS和双极器件同时集成在同一块芯片上的技术，其基本思想是以CMOS器件为主要单元电路，而在要求驱动大电容负载之处加入双极器件或电路。因此BiCMOS电路既具有CMOS电路高集成度低功耗的优点又获得了双极电路高速、强电流驱动能力的优势。