晶体管2N5556参数

2N5556材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：30极限电流Im：2.5m最大漏极电...

   2008-10-19

晶体管2N5557参数

2N5557材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：30极限电流Im：5m最大漏极电流I...

   2008-10-19

晶体管2N3329参数

2N3329材料：P-FET外形：图用途：音频（低频）,极限电压Vm：20极限电流Im：3m最大漏极电...

   2008-10-19

晶体管2N3277参数

2N3277材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：25极限电流Im：5m最...

   2008-10-19

晶体管DM575参数

DM575材料：P-FET外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：300m&nb...

   2008-10-19

晶体管2N5592参数

2N5592材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：50极限电流Im：10m最大漏极电流...

   2008-10-19

晶体管2N3332参数

2N3332材料：P-FET外形：图用途：音频（低频）,极限电压Vm：20极限电流Im：6m最大漏极电...

   2008-10-19

晶体管DD10K参数

DD10K材料：P-FET外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m&nbs...

   2008-10-19

晶体管DD09K参数

DD09K材料：P-FET外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：30m&nbs...

   2008-10-19

晶体管DD08K参数

DD08K材料：P-FET外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m&nbs...

   2008-10-19

晶体管DPT201参数

DPT201材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：...

   2008-10-19

晶体管DM814参数

DM814材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：35极限电流Im：50m&nb...

   2008-10-19

晶体管DM660参数

DM660材料：N-FET外形：图用途：开关,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：10m...

   2008-10-19

晶体管DMS4025DE参数

DMS4025DE材料：N-FET外形：图用途：开关,甚高频,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：22极限电流Im：8...

   2008-10-19

晶体管DM807A参数

DM807A材料：P-FET外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流Im：...

   2008-10-19

晶体管DPT200参数

DPT200材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：...

   2008-10-19

晶体管2N5473参数

2N5473材料：P-FET外形：图用途：对称类,一般用途,极限电压Vm：40极限电流Im：0.25m...

   2008-10-19

晶体管2N3382参数

2N3382材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,音频（低频）,极限电压Vm：30极限电流Im：30m ...

   2008-10-19

晶体管2N3380参数

2N3380材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,音频（低频）,极限电压Vm：30极限电流Im：20m ...

   2008-10-19

晶体管2N3378参数

2N3378材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,音频（低频）,极限电压Vm：30极限电流Im：6m...

   2008-10-19