晶体管3N169参数

3N169材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：30m...

   2008-10-25

晶体管BF801参数

BF801材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,音频（低频）,极限电压Vm：25极限电流Im：1.2m ...

   2008-10-25

晶体管3N168参数

3N168材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：500...

   2008-10-25

晶体管3N167参数

3N167材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：500...

   2008-10-25

晶体管3N163参数

3N163材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流Im：50m...

   2008-10-25

晶体管3N164参数

3N164材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m...

   2008-10-25

晶体管3N161参数

3N161材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流I...

   2008-10-25

晶体管3N160参数

3N160材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流I...

   2008-10-25

晶体管BFR46参数

BFR46材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,音频（低频）,极限电压Vm：30极限电流Im：25m...

   2008-10-25

晶体管3N158A参数

3N158A材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：50极限电流Im：30...

   2008-10-25

晶体管2N4119参数

2N4119材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：40极限电流Im：0.6m最大漏极电...

   2008-10-24

晶体管2N4118A参数

2N4118A材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：40极限电流Im：0.24m最大漏...

   2008-10-24

晶体管2N3686A参数

2N3686A材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：20极限电流Im：1.2m&nbs...

   2008-10-24

晶体管2N3456参数

2N3456材料：P-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：50极限电流Im：1m最大漏极电流I...

   2008-10-24

晶体管2N3685A参数

2N3685A材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：20极限电流Im：3m...

   2008-10-24

晶体管2N4867A参数

2N4867A材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：40极限电流Im：1.2m最大漏极...

   2008-10-24

晶体管2N3685参数

2N3685材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：20极限电流Im：3m最...

   2008-10-24

晶体管FI100参数

FI100材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流I...

   2008-10-24

晶体管2N3684参数

2N3684材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：20极限电流Im：7.5m ...

   2008-10-24

晶体管2N3684A参数

2N3684A材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：20极限电流Im：7.5m&nbs...

   2008-10-24