晶体管MEM301参数

MEM301材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：75极限电流Im：20m&n...

   2008-11-01

晶体管U203参数

U203材料：N-FET外形：图用途：开关,极限电压Vm：30极限电流Im：2m最大漏极电流Idss：...

   2008-11-01

晶体管MEM511C参数

MEM511C材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：5...

   2008-11-01

晶体管MEM402参数

MEM402材料：P-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：100m&nbs...

   2008-11-01

晶体管NF5301-2参数

NF5301-2材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：30极限电流Im：0.5m&nb...

   2008-11-01

晶体管TN4117(A)参数

TN4117(A)材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：&n...

   2008-11-01

晶体管NKT80422参数

NKT80422材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：30极限电流Im：10m最大漏极...

   2008-11-01

晶体管MEM401参数

MEM401材料：P-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：100m&nbs...

   2008-11-01

晶体管NKT80421参数

NKT80421材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：30极限电流Im：12m最大漏极...

   2008-11-01

晶体管MEM400参数

MEM400材料：P-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：100m&nbs...

   2008-11-01

晶体管TIXS33参数

TIXS33材料：N-FET外形：图用途：斩波、限幅,极限电压Vm：30极限电流Im：25m最大漏极电...

   2008-10-31

晶体管MT01参数

MT01材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流Im...

   2008-10-31

晶体管NF5486参数

NF5486材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss： ...

   2008-10-31

晶体管MEM511参数

MEM511材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50...

   2008-10-31

晶体管NF5555参数

NF5555材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss： ...

   2008-10-31

晶体管TN4339参数

TN4339材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss： ...

   2008-10-31

晶体管U89参数

U89材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,极限电压Vm：20极限电流Im：5m最大漏极电流Ids...

   2008-10-31

晶体管TIXS11参数

TIXS11材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流...

   2008-10-31

晶体管XSD217参数

XSD217材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：1&...

   2008-10-31

晶体管TIXM301参数

TIXM301材料：Ge-P-FET外形：图用途：前置/输入级,甚高频,混频,极限电压Vm：20极限电流Im：25m ...

   2008-10-31