晶体管MEM808

MEM808材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流...

   2008-11-12

晶体管SD7105

SD7105材料：N-FET外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m&nb...

   2008-11-12

晶体管SDF9210

SDF9210材料：N-FET外形：图用途：一般用途,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m&n...

   2008-11-12

晶体管SD200DC

SD200DC材料：N-FET外形：图用途：超高频,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：50m&nb...

   2008-11-12

晶体管M511

M511材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im...

   2008-11-12

晶体管M113

M113材料：P-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：50m&...

   2008-11-12

晶体管M164

M164材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im...

   2008-11-12

晶体管SD215

SD215材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：50m&...

   2008-11-12

晶体管M119

M119材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：75极限电流Im...

   2008-11-12

晶体管M163

M163材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流Im...

   2008-11-12

晶体管MEM202参数

MEM202材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：35极限电流Im：50m ...

   2008-11-09

晶体管TIS05参数

TIS05材料：P-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：...

   2008-11-09

晶体管UC155参数

UC155材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,开关,极限电压Vm：30极限电流Im：30m&nbs...

   2008-11-09

晶体管NF506参数

NF506材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：25极限电流Im：15m最...

   2008-11-09

晶体管UC140参数

UC140材料：P-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：30极限电流Im：6m最大漏极电流Id...

   2008-11-09

晶体管NF501参数

NF501材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：25极限电流Im：30m最...

   2008-11-09

晶体管TIS07参数

TIS07材料：P-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：...

   2008-11-09

晶体管TIS14参数

TIS14材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：30极限电流Im：15m最大漏极电流I...

   2008-11-09

晶体管TIS15参数

TIS15材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：30极限电流Im：15m最大漏极电流I...

   2008-11-09

晶体管TIS16参数

TIS16材料：N-FET外形：图用途：一般用途,极限电压Vm：30极限电流Im：15m最大漏极电流I...

   2008-11-09