晶体管3N189

3N189材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,配对管,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流Im...

   2008-11-29

晶体管3N190

3N190材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,配对管,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流Im...

   2008-11-29

晶体管3N207

3N207材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：100m&nbs...

   2008-11-29

晶体管3N191

3N191材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,配对管,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流Im...

   2008-11-29

晶体管3N165

3N165材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,配对管,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流Im...

   2008-11-29

晶体管3N208

3N208材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：100m&nbs...

   2008-11-29

晶体管FM3957

FM3957材料：N-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：50极限电流Im：5m最大漏极电流Id...

   2008-11-29

晶体管3N96

3N96材料：P-FET外形：图用途：配对管,一般用途,极限电压Vm：30极限电流Im：2.5m最大漏...

   2008-11-29

晶体管3N148

3N148材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：200m&nbs...

   2008-11-29

晶体管FM1200

FM1200材料：N-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：35极限电流Im：2.5m最大漏极电流...

   2008-11-29

晶体管2SK792

2SK792材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：900极限电...

   2008-11-27

晶体管2SK779

2SK779材料：GaAs,MES外形：图用途：微波,极限电压Vm：5极限电流Im：120m最大漏极电...

   2008-11-27

晶体管2SK791

2SK791材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：850极限电...

   2008-11-27

晶体管2SK858

2SK858材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：600极限电流Im：2&nb...

   2008-11-27

晶体管2SK963

2SK963材料：N-FET外形：图用途：变频换流,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限电流Im...

   2008-11-27

晶体管2SK981

2SK981材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限电...

   2008-11-27

晶体管2SK795

2SK795材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：600极限电流...

   2008-11-27

晶体管2SK981A

2SK981A材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限...

   2008-11-27

晶体管MTD4P06-1(A)

MTD4P06-1(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流...

   2008-11-27

晶体管MTD1N40-1

MTD1N40-1材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限电流Im...

   2008-11-27