晶体管FM1110

FM1110材料：N-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：25极限电流Im：10m最大漏极电流I...

   2008-12-04

晶体管FM1100

FM1100材料：N-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：35极限电流Im：1.2m最大漏极电流...

   2008-12-04

晶体管FM1107

FM1107材料：N-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：35极限电流Im：10m最大漏极电流I...

   2008-12-04

晶体管FM1107A

FM1107A材料：N-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：35极限电流Im：10m最大漏极电流...

   2008-12-04

晶体管FM1106A

FM1106A材料：N-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：35极限电流Im：10m最大漏极电流...

   2008-12-04

晶体管FM1106

FM1106材料：N-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：35极限电流Im：10m最大漏极电流I...

   2008-12-04

晶体管DM03B

DM03B材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：70极限电流Im：30m ...

   2008-12-04

晶体管BSX34

BSX34材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：200m&nbs...

   2008-12-04

晶体管FM1108A

FM1108A材料：N-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：35极限电流Im：10m最大漏极电流...

   2008-12-04

晶体管BSX86

BSX86材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：20...

   2008-12-04

晶体管FT701

FT701材料：P-FET外形：图用途：配对管,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：200m&...

   2008-12-01

晶体管FM1103

FM1103材料：N-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：35极限电流Im：1.2m最大漏极电流...

   2008-12-01

晶体管3N151

3N151材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：25m ...

   2008-12-01

晶体管3N166

3N166材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,配对管,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流Im...

   2008-12-01

晶体管FM3958

FM3958材料：N-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：50极限电流Im：5m最大漏极电流Id...

   2008-12-01

晶体管3N147

3N147材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：200m&nbs...

   2008-12-01

晶体管ALD1102MA

ALD1102MA材料：P-FET外形：图用途：双栅四极,极限电压Vm：12极限电流Im：最大漏极电流...

   2008-12-01

晶体管BSV34

BSV34材料：P-FET外形：图用途：配对管,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：0.2&n...

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晶体管2N4066

2N4066材料：P-FET外形：图用途：斩波、限幅,配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：2...

   2008-12-01

晶体管DM02B

DM02B材料：P-FET外形：图用途：配对管,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：70极限电流Im：30m ...

   2008-12-01