晶体管PD7M441L参数

PD7M441L材料：N-FET外形：图用途：功率放大,极限电压Vm：450极限电流Im：50最大漏极...

   2008-08-31

晶体管PD10M440L参数

PD10M440L材料：N-FET外形：图用途：功率放大,极限电压Vm：500极限电流Im：85最大漏...

   2008-08-31

晶体管PD10M441H参数

PD10M441H材料：N-FET外形：图用途：功率放大,极限电压Vm：450极限电流Im：85最大漏...

   2008-08-31

晶体管PD10M441L参数

PD10M441L材料：N-FET外形：图用途：功率放大,极限电压Vm：450极限电流Im：85最大漏...

   2008-08-31

晶体管PD4N440H参数

PD4N440H材料：N-FET外形：图用途：功率放大,极限电压Vm：500极限电流Im：30最大漏极...

   2008-08-31

晶体管PD4M441H参数

PD4M441H材料：N-FET外形：图用途：功率放大,极限电压Vm：450极限电流Im：30最大漏极...

   2008-08-31

晶体管PD7N440H参数

PD7N440H材料：N-FET外形：图用途：功率放大,极限电压Vm：500极限电流Im：50最大漏极...

   2008-08-31

晶体管40819参数

40819材料：N-FET外形：图用途：耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：35m&nb...

   2008-08-31

晶体管40673参数

40673材料：N-FET外形：图用途：耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：35m&nb...

   2008-08-31

晶体管3SK35参数

3SK35材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：20&nbs...

   2008-08-31

晶体管3SK35-BL参数

3SK35-BL材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：20&...

   2008-08-31

晶体管3SK63-Y参数

3SK63-Y材料：N-FET外形：图用途：耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：20极限电流I...

   2008-08-31

晶体管3SK35-GR参数

3SK35-GR材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：20&...

   2008-08-31

晶体管40602参数

40602材料：N-FET外形：图用途：耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：18m&nb...

   2008-08-31

M91F参数

M91F材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,超高频,极限电压Vm：10极限电流Im：4最大漏...

   2008-08-31

晶体管2SK1385参数

2SK1385材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800极限电...

   2008-08-31

晶体管2SK1390参数

2SK1390材料：N-FET外形：图用途：变频换流,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限电流I...

   2008-08-31

晶体管2SK1384参数

2SK1384材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800极限电...

   2008-08-31

晶体管2SK1211参数

2SK1211材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800极限电...

   2008-08-31

晶体管2SK1134参数

2SK1134材料：N-FET外形：图用途：宽频带放大,变频换流,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：50...

   2008-08-31