晶体管IRFK4H351参数

IRFK4H351材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：350极限电流Im：50 ...

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晶体管IRFK4HC50参数

IRFK4HC50材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：600极限电流Im：35 ...

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晶体管IRFK4H451参数

IRFK4H451材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：450极限电流Im：44 ...

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晶体管IRFK6H150参数

IRFK6H150材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：100极限电流Im：120&nbs...

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晶体管IRFK4HE50参数

IRFK4HE50材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：800极限电流Im：26 ...

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晶体管IRFK6H250参数

IRFK6H250材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：200极限电流Im：90 ...

   2008-09-08

晶体管IRFK6H350参数

IRFK6H350材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：400极限电流Im：48 ...

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晶体管2SK1494参数

2SK1494材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电...

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晶体管2SK1576参数

2SK1576材料：N-FET外形：图用途：音频（低频）,极限电压Vm：30极限电流Im：14m最大漏...

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晶体管2SK1793参数

2SK1793材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：900极限电...

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晶体管2SK1501参数

2SK1501材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：900极限电...

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晶体管2SK1495参数

2SK1495材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电...

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晶体管2SK1493参数

2SK1493材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电...

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晶体管2SK1751参数

2SK1751材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流Im...

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晶体管2SK1750参数

2SK1750材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流Im...

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晶体管2SK1383参数

2SK1383材料：N-FET外形：图用途：静电感应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：200极限电流Im：3&nb...

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晶体管2SK1496参数

2SK1496材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电...

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晶体管2SK1594参数

2SK1594材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电...

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晶体管2SK1294参数

2SK1294材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限...

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晶体管2SK1292参数

2SK1292材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限...

   2008-09-08