晶体管2SJ220,L,S参数

2SJ220,L,S材料：P-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：2...

   2008-09-09

晶体管2SK1622(L)(S)参数

2SK1622(L)(S)材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流I...

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晶体管2SK1314(L)(S)参数

2SK1314(L)(S)材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500&nb...

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晶体管2SK1316(L)(S)参数

2SK1316(L)(S)材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500&nb...

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晶体管2SK1541(L)(S)参数

2SK1541(L)(S)材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500&nb...

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晶体管2SK1621(L)(S)参数

2SK1621(L)(S)材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250&nb...

   2008-09-09

晶体管2SK1623(L)(S)参数

2SK1623(L)(S)材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流...

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PF0010参数

PF0010材料：FET外形：图用途：功率放大,极限电压Vm：17极限电流Im：3最大漏极电流Idss...

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晶体管2SJ214,L,S参数

2SJ214,L,S材料：P-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：1...

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晶体管4AM13参数

4AM13材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：3 ...

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晶体管4AK18参数

4AK18材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：2.5&nb...

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晶体管4AM11参数

4AM11材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：5 ...

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晶体管4AM12参数

4AM12材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：8 ...

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晶体管4AK21参数

4AK21材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：8&nbs...

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晶体管4AK22参数

4AK22材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im：3&nbs...

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晶体管4AK17参数

4AK17材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：10&nbs...

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晶体管4AK20参数

4AK20材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：5&nbs...

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CM539R-M172(A)参数

CM539R-M172(A)材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：100极限电流Im：14...

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晶体管4AK15参数

4AK15材料：N-FET外形：图用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：8 ...

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晶体管2SK1526参数

2SK1526材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流Im...

   2008-09-09