晶体管IRF255参数

IRF255材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限电流Im：25...

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晶体管APT1001R3AN参数

APT1001R3AN材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000极限电...

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晶体管APT1001R2AN参数

APT1001R2AN材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000极限电...

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晶体管IRF237参数

IRF237材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：275极限电流Im：6....

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晶体管IRF254参数

IRF254材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限电流Im：22...

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晶体管IRF245参数

IRF245材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限电流Im：13...

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晶体管IRF256参数

IRF256材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：275极限电流Im：22...

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晶体管IRF244参数

IRF244材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250极限电流Im：14...

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MTB50N06EL参数

MTB50N06EL材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60 ...

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晶体管MTB10N40E参数

MTB10N40E材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400 ...

   2008-09-10

BLF521参数

BLF521材料：N-FET外形：图用途：功率放大,微波,超高频,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：40极限电流Im...

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晶体管NE42484A参数

NE42484A材料：InGaAs外形：图用途：微波,极限电压Vm：4极限电流Im：70m最大漏极电流...

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晶体管NE32484A参数

NE32484A材料：AIGaAs外形：图用途：微波,极限电压Vm：4极限电流Im：70m最大漏极电流...

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晶体管NE32184A-1.1参数

NE32184A-1.1材料：AIGaAs外形：图用途：微波,极限电压Vm：4极限电流Im：60m最大...

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晶体管NE76184A参数

NE76184A材料：GaAs,MES外形：图用途：微波,极限电压Vm：5极限电流Im：100m最大漏...

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晶体管NE32384A参数

NE32384A材料：AIGaAs外形：图用途：微波,极限电压Vm：4极限电流Im：60m最大漏极电流...

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晶体管NE32184A参数

NE32184A材料：AIGaAs外形：图用途：微波,极限电压Vm：4极限电流Im：60m最大漏极电流...

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晶体管NE42184A参数

NE42184A材料：AIGaAs外形：图用途：微波,极限电压Vm：4极限电流Im：60m最大漏极电流...

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晶体管2SK71参数

2SK71材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,V型槽MOSFET,极限电压Vm：160极限电流Im：300m...

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晶体管NE32084参数

NE32084材料：GaAs外形：图用途：微波,极限电压Vm：4极限电流Im：60m最大漏极电流Ids...

   2008-09-10