晶体管2SJ50参数

2SJ50材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：160极限...

   2008-09-12

晶体管2SJ49参数

2SJ49材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：140极限电流Im...

   2008-09-12

晶体管2SJ49(H)参数

2SJ49(H)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：140极限电...

   2008-09-12

晶体管2SK290(H)参数

2SK290(H)材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100&...

   2008-09-12

晶体管2SK258(H)参数

2SK258(H)材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：250&nbs...

   2008-09-12

晶体管2SK259(H)参数

2SK259(H)材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：350&nbs...

   2008-09-12

晶体管2SJ48参数

2SJ48材料：P-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极限电流Im...

   2008-09-12

晶体管2SK132参数

2SK132材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流I...

   2008-09-12

晶体管2SK1372参数

2SK1372材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电...

   2008-09-12

晶体管IRF231参数

IRF231材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：150极限电流Im：9&...

   2008-09-12

晶体管HGTM20N50E1参数

HGTM20N50E1材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：500极限电流Im：20 ...

   2008-09-12

晶体管HGTM20N40E1参数

HGTM20N40E1材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：400极限电流Im：20 ...

   2008-09-12

晶体管HGTM20N50C1参数

HGTM20N50C1材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：500极限电流Im：20 ...

   2008-09-12

晶体管IRF421参数

IRF421材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流Im：2....

   2008-09-12

晶体管HGTM20N40C1参数

HGTM20N40C1材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：400极限电流Im：20 ...

   2008-09-12

晶体管IRF422参数

IRF422材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流Im：2....

   2008-09-12

晶体管HGTM12N60D1参数

HGTM12N60D1材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：600极限电流Im：21 ...

   2008-09-12

晶体管HGTM12N50E1参数

HGTM12N50E1材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：500极限电流Im：12 ...

   2008-09-12

晶体管2SK298参数

2SK298材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限电流I...

   2008-09-12

晶体管HGTM12N50C1参数

HGTM12N50C1材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：500极限电流Im：12 ...

   2008-09-12