晶体管IXGM30N60(A)参数

IXGM30N60(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：600极限电流Im：50&nbs...

   2008-09-20

晶体管IRFP470(A)参数

IRFP470(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流I...

   2008-09-20

晶体管IXGM40N60(A)参数

IXGM40N60(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：600极限电流Im：60&nbs...

   2008-09-20

晶体管IXGM40N50(A)参数

IXGM40N50(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：500极限电流Im：60&nbs...

   2008-09-20

晶体管IXGM40N60A(A)参数

IXGM40N60A(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：600极限电流Im：60&nb...

   2008-09-20

晶体管IRFJ242参数

IRFJ242材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流Im：1...

   2008-09-20

晶体管IRFJ243参数

IRFJ243材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：150极限电流Im：1...

   2008-09-20

晶体管IRFJ320参数

IRFJ320材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限电流Im：3...

   2008-09-20

晶体管IXGM30N50A(A)参数

IXGM30N50A(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：500极限电流Im：50&nb...

   2008-09-20

晶体管MTM8N12参数

MTM8N12材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：120极...

   2008-09-19

晶体管MTM8N15参数

MTM8N15材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：150极...

   2008-09-19

晶体管MTM8N18参数

MTM8N18材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：180极...

   2008-09-19

晶体管MTM8N60参数

MTM8N60材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：600极限电流Im：8...

   2008-09-19

晶体管MTM8N08参数

MTM8N08材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：80极限...

   2008-09-19

晶体管IXSM20N60A参数

IXSM20N60A材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：600极限电流Im：20...

   2008-09-19

晶体管MTM7N20参数

MTM7N20材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极...

   2008-09-19

晶体管IXSM17N100A参数

IXSM17N100A材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：1000极限电流Im：17&nbs...

   2008-09-19

晶体管IXSM17N100参数

IXSM17N100材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：1000极限电流Im：17 ...

   2008-09-19

晶体管IRFJ443参数

IRFJ443材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流Im：5...

   2008-09-19

晶体管IRFJ442参数

IRFJ442材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流Im：5...

   2008-09-19