晶体管2SJ137参数

2SJ137材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：10&...

   2008-09-22

晶体管2SK591参数

2SK591材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：15&...

   2008-09-22

晶体管2SK705参数

2SK705材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：5&n...

   2008-09-22

晶体管2SJ152参数

2SJ152材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：3&...

   2008-09-22

晶体管2SK811参数

2SK811材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：12...

   2008-09-22

晶体管CXD7500M参数

CXD7500M材料：P-FET外形：图用途：可变电阻,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：15m&...

   2008-09-22

晶体管MMDF3C05参数

MMDF3C05材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：16.5极限电流Im：1.5&nbs...

   2008-09-22

晶体管2SK183参数

2SK183材料：SIT外形：图用途：高频放大（射频放大）,功率放大,开关,极限电压Vm：800极限电流Im：10...

   2008-09-22

晶体管2SK183H参数

2SK183H材料：SIT外形：图用途：高频放大（射频放大）,功率放大,开关,极限电压Vm：1200极限电流Im：10&nbs...

   2008-09-22

晶体管2SK1582参数

2SK1582材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：0.2&nbs...

   2008-09-21

晶体管2SK1589参数

2SK1589材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：0.1&nb...

   2008-09-21

晶体管2SK1399参数

2SK1399材料：N-FET外形：图用途：增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：50极限电流Im：0.1&...

   2008-09-21

晶体管2SK1133参数

2SK1133材料：N-FET外形：图用途：增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：50极限电流Im：0.1&...

   2008-09-21

晶体管2SJ210参数

2SJ210材料：P-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：0.2 ...

   2008-09-21

晶体管2SK1590参数

2SK1590材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：0.2&nbs...

   2008-09-21

晶体管2SK1591参数

2SK1591材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：0.2&nb...

   2008-09-21

晶体管2SK1657参数

2SK1657材料：N-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：0.1&nbs...

   2008-09-21

晶体管2SK1001参数

2SK1001材料：N-FET外形：图用途：宽频带放大,极限电压Vm：22极限电流Im：50m最大漏极...

   2008-09-21

晶体管2SJ166参数

2SJ166材料：P-FET外形：图用途：增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：50极限电流Im：0.1&n...

   2008-09-21

晶体管2SK1480参数

2SK1480材料：N-FET外形：图用途：开关,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：3...

   2008-09-21