晶体管FHC31LG参数

FHC31LG材料：GaAs,HEMT外形：图用途：宽频带放大,微波,极限电压Vm：3.5极限电流Im：85m&n...

   2008-09-25

晶体管2N7151参数

2N7151材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：14极限电流Im：0.8&n...

   2008-09-25

晶体管FHX35LG参数

FHX35LG材料：GaAs,HEMT外形：图用途：宽频带放大,微波,极限电压Vm：4极限电流Im：60m&nbs...

   2008-09-25

HMF1202(A)参数

HMF1202(A)材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：14极限电流Im：0.4&nbs...

   2008-09-25

晶体管2N7150参数

2N7150材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：14极限电流Im：0.42&...

   2008-09-25

晶体管IM7984-3参数

IM7984-3材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：20极限电流Im：3.5...

   2008-09-25

晶体管IM7178-3参数

IM7178-3材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：20极限电流Im：3.5...

   2008-09-25

晶体管IM4450-3参数

IM4450-3材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：20极限电流Im：3.5...

   2008-09-25

晶体管IM6471-3参数

IM6471-3材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：20极限电流Im：3.5...

   2008-09-25

晶体管MHT4N50HXV(A)参数

MHT4N50HXV(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限...

   2008-09-25

晶体管MHT8N20(A)参数

MHT8N20(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流I...

   2008-09-25

晶体管MHT8N20HXV(A)参数

MHT8N20HXV(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限...

   2008-09-25

晶体管MHT8N20HX(A)参数

MHT8N20HX(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电...

   2008-09-25

晶体管MHT8P20(A)参数

MHT8P20(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流I...

   2008-09-25

晶体管MHT8P20HX(A)参数

MHT8P20HX(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电...

   2008-09-25

晶体管MHT8P20HXV(A)参数

MHT8P20HXV(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限...

   2008-09-25

晶体管MHT2N80参数

MHT2N80材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800极限电流Im：2...

   2008-09-25

晶体管MHR15N50H-XV(A)参数

MHR15N50H-XV(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500...

   2008-09-25

晶体管MHR5N100(A)参数

MHR5N100(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000极限电...

   2008-09-25

晶体管OMY140参数

OMY140材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：100极限电流Im：14最大...

   2008-09-25