晶体管KGF1800参数

KGF1800材料：GaAs,HEMT外形：图用途：微波,超高频,极限电压Vm：5极限电流Im：80m...

   2008-09-28

晶体管KGF1850参数

KGF1850材料：GaAs,HEMT外形：图用途：微波,超高频,极限电压Vm：4极限电流Im：100m ...

   2008-09-28

晶体管2SK21(H)参数

2SK21(H)材料：N-FET外形：图用途：斩波、限幅,双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：20 ...

   2008-09-28

晶体管3SK11参数

3SK11材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：6m ...

   2008-09-28

晶体管3N124参数

3N124材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,音频（低频）,甚高频,极限电压Vm：50极限电流Im：2m&nb...

   2008-09-28

晶体管3N126参数

3N126材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,音频（低频）,甚高频,极限电压Vm：50极限电流Im：9m&nb...

   2008-09-28

晶体管3SK13H参数

3SK13H材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：10m&nb...

   2008-09-28

晶体管2SJ116参数

2SJ116材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极...

   2008-09-28

晶体管3SK11H参数

3SK11H材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：6m&nbs...

   2008-09-28

晶体管MRF177M(A)参数

MRF177M(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：28极限电流Im：&nbs...

   2008-09-27

晶体管MRF176GV参数

MRF176GV材料：N-FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：125极限电流Im：...

   2008-09-27

NE345L-20B参数

NE345L-20B材料：GaAs外形：图用途：功率放大,微波,极限电压Vm：15极限电流Im：18m...

   2008-09-27

晶体管S8814A参数

S8814A材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：15极限电流Im：4&nbs...

   2008-09-27

晶体管LF4030C参数

LF4030C材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：80极...

   2008-09-27

晶体管S8847L参数

S8847L材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：15极限电流Im：16&nb...

   2008-09-27

晶体管S8875参数

S8875材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：15极限电流Im：2.6&nb...

   2008-09-27

晶体管S8859参数

S8859材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：15极限电流Im：5.2&nb...

   2008-09-27

晶体管S8868L参数

S8868L材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：15极限电流Im：16&nb...

   2008-09-27

晶体管S8867参数

S8867材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：15极限电流Im：4 ...

   2008-09-27

晶体管S8868参数

S8868材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：15极限电流Im：16&nbs...

   2008-09-27