晶体管2SK1718参数

2SK1718材料：N-FET外形：图用途：变频换流,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im...

   2008-10-06

晶体管2SK1083参数

2SK1083材料：N-FET外形：图用途：变频换流,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im...

   2008-10-06

晶体管2SK1101参数

2SK1101材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电...

   2008-10-06

晶体管2SK1006参数

2SK1006材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电...

   2008-10-06

晶体管2SK1102参数

2SK1102材料：N-FET外形：图用途：变频换流,功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电...

   2008-10-06

晶体管2SK1085参数

2SK1085材料：N-FET外形：图用途：变频换流,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：150极限电流I...

   2008-10-06

晶体管2SK1087参数

2SK1087材料：N-FET外形：图用途：变频换流,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流I...

   2008-10-06

晶体管2SK1086参数

2SK1086材料：N-FET外形：图用途：变频换流,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im...

   2008-10-06

晶体管2SK1088参数

2SK1088材料：N-FET外形：图用途：变频换流,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：150极限电流I...

   2008-10-06

晶体管S8901参数

S8901材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：4极限电流Im：0.05&nb...

   2008-10-06

晶体管S8900参数

S8900材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：4极限电流Im：0.05&nb...

   2008-10-06

晶体管S8818A参数

S8818A材料：GaAs,MES外形：图用途：微波,超高频,极限电压Vm：5极限电流Im：0.1最大...

   2008-10-06

晶体管S8831参数

S8831材料：GaAs,MES外形：图用途：微波,超高频,极限电压Vm：5极限电流Im：0.1最大漏...

   2008-10-06

晶体管S8850A参数

S8850A材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：15极限电流Im：0.125...

   2008-10-06

晶体管S8850(S)参数

S8850(S)材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：15极限电流Im：0.125&nbs...

   2008-10-06

晶体管S8834(S)参数

S8834(S)材料：GaAs,MES外形：图用途：功率放大,微波,超高频,极限电压Vm：15极限电流Im：0.125&nbs...

   2008-10-06

晶体管S8833参数

S8833材料：GaAs,MES外形：图用途：微波,超高频,极限电压Vm：5极限电流Im：0.1最大漏...

   2008-10-06

晶体管S8832参数

S8832材料：GaAs,MES外形：图用途：微波,超高频,极限电压Vm：5极限电流Im：0.1最大漏...

   2008-10-06

晶体管S8870参数

S8870材料：GaAs,MES外形：图用途：微波,超高频,极限电压Vm：5极限电流Im：0.1最大漏...

   2008-10-06

晶体管3SK15A参数

3SK15A材料：N-FET外形：图用途：直流,双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：25&nbs...

   2008-10-06