场效应管有三个电极，即S(源极)、G(栅极)、D(漏极)。在G、S和G、D极间分别形成两个PN结。场效应管分两类：一类是结型场效应管(J—FET管)，另一类是绝缘栅场效应管(MOS管)。MOS管又有“耗尽型”与“增强型”之分。即栅、源之间的电压(Vgs)为零时，源、漏之间就存在导电的沟道，称为“耗尽型”。若在|Vgs|>0时才存在导电沟道的，称为“增强型”。 
    场效应管其沟道(电流通道)为N型半导体(栅极必为P型)材料的。称“N沟道场效应管”。反之，则为“P沟道场效应管”。其分类及符号见表一。  

    场效应管具有很高的输入电阻(达数百兆欧，MOS管比结型管还要高出几个数量级达10的12次方欧姆)，一般作电压控制器件。在高频、中频、低频、直流、混频、开关、阻抗变换等电路中都有广泛应用。
    由于MOS管栅极具有极高的绝缘强度，因此栅极不允许开路，否则会感应出很高电压的静电，而将其击穿。故平时要将栅极与其它两个极捆在一起保存。关于结型场效应管的极性及好坏差别见表二。由场效应管结构可知，S和D极可互换，所以S和D之间的正、反向电阻几乎相等。每种型号中都有双栅型。 
    说明：红、黑表笔分别接S、D(或D、S)指示几百至几千欧姆时，用手碰触栅极，阻值应发生很大变化，变化越大说明管子越好，即跨导越大。